EP2134551A1 - Safety element - Google Patents

Safety element

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EP2134551A1
EP2134551A1 EP08734745A EP08734745A EP2134551A1 EP 2134551 A1 EP2134551 A1 EP 2134551A1 EP 08734745 A EP08734745 A EP 08734745A EP 08734745 A EP08734745 A EP 08734745A EP 2134551 A1 EP2134551 A1 EP 2134551A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
security element
light
highly conductive
element according
test
Prior art date
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EP08734745A
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German (de)
French (fr)
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EP2134551B1 (en
Inventor
Hans Lochbihler
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Giesecke and Devrient GmbH
Original Assignee
Giesecke and Devrient GmbH
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Filing date
Publication date
Application filed by Giesecke and Devrient GmbH filed Critical Giesecke and Devrient GmbH
Publication of EP2134551A1 publication Critical patent/EP2134551A1/en
Application granted granted Critical
Publication of EP2134551B1 publication Critical patent/EP2134551B1/en
Not-in-force legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B42BOOKBINDING; ALBUMS; FILES; SPECIAL PRINTED MATTER
    • B42DBOOKS; BOOK COVERS; LOOSE LEAVES; PRINTED MATTER CHARACTERISED BY IDENTIFICATION OR SECURITY FEATURES; PRINTED MATTER OF SPECIAL FORMAT OR STYLE NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; DEVICES FOR USE THEREWITH AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; MOVABLE-STRIP WRITING OR READING APPARATUS
    • B42D25/00Information-bearing cards or sheet-like structures characterised by identification or security features; Manufacture thereof
    • B42D25/20Information-bearing cards or sheet-like structures characterised by identification or security features; Manufacture thereof characterised by a particular use or purpose
    • B42D25/29Securities; Bank notes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B42BOOKBINDING; ALBUMS; FILES; SPECIAL PRINTED MATTER
    • B42DBOOKS; BOOK COVERS; LOOSE LEAVES; PRINTED MATTER CHARACTERISED BY IDENTIFICATION OR SECURITY FEATURES; PRINTED MATTER OF SPECIAL FORMAT OR STYLE NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; DEVICES FOR USE THEREWITH AND NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; MOVABLE-STRIP WRITING OR READING APPARATUS
    • B42D25/00Information-bearing cards or sheet-like structures characterised by identification or security features; Manufacture thereof
    • GPHYSICS
    • G07CHECKING-DEVICES
    • G07DHANDLING OF COINS OR VALUABLE PAPERS, e.g. TESTING, SORTING BY DENOMINATIONS, COUNTING, DISPENSING, CHANGING OR DEPOSITING
    • G07D7/00Testing specially adapted to determine the identity or genuineness of valuable papers or for segregating those which are unacceptable, e.g. banknotes that are alien to a currency
    • G07D7/003Testing specially adapted to determine the identity or genuineness of valuable papers or for segregating those which are unacceptable, e.g. banknotes that are alien to a currency using security elements

Definitions

  • the invention relates to a security element for mechanical optical authentication with light, which contains a predetermined test wavelength.
  • the invention further relates to an associated manufacturing method for the security element, a correspondingly equipped data carrier and a method and a device for mechanical optical authentication of such a security element.
  • Data carriers such as valuables or identity documents, but also other valuables, such as branded goods, are often provided with security elements for the purpose of security, which permit verification of the authenticity of the data carrier and at the same time serve as protection against unauthorized reproduction.
  • the security elements can be embodied, for example, in the form of a security thread embedded in a banknote, a covering film for a banknote with a hole, an applied security strip or a self-supporting transfer element which is applied to a value document after its manufacture.
  • holograms To increase the security against forgery, often diffractive structures, such as holograms or hologram-like diffraction structures, are used as security features. These structures serve primarily as human features and, because of their generally inhomogeneous lateral design and the presence of higher diffraction orders, are only of limited use for mechanical authenticity checking. In addition, the previously known optical security features have obvious diffraction properties, which can also be detected and imitated relatively easily by counterfeiters. Proceeding from this, the object of the invention is to avoid the disadvantages of the prior art. In particular, a security element of the aforementioned type is to be specified, which can be tested for authenticity with high security against forgery in a simple manner.
  • the security element has a layer of a highly conductive material.
  • the layer of a highly conductive material is also referred to hereinafter as a "highly conductive layer” or “highly conductive layer”.
  • the highly conductive layer may on the one hand be a substantially flat layer (surface layer). Such a surface layer has a very high conductivity substantially in the entire plane defined by the security element.
  • the highly conductive layer can also be a layer which does not have a very high conductivity essentially in the entire plane defined by the safety element, but only in a part of the plane, eg. Along substantially a direction of this plane. The latter is z.
  • a highly conductive layer for example, a one-dimensional lattice structure with a large number of highly conductive lattice elements ensures the high conductivity of the layer. essentially in only one direction of the plane defined by the security element. More detailed descriptions of various highly conductive layers can be found in the following.
  • the term "conductivity” usually refers to the electromagnetic conductivity: When an electromagnetic wave, as in the context of this invention, strikes a specific material, the electromagnetic wave penetrates a certain depth (penetration depth) into the material and The electromagnetic wave is characterized by an electromagnetic conductivity, which depends in particular on the material and the wavelength of the electromagnetic wave, and the electromagnetic conductivity can be defined by the complex refractive index m (see chapter 2, page 21 ff "Convention confusions" of the "Handbook of Optical Constants of Solids II", Editor: Edward D. Palik, Academic Press, 1998).
  • n is the real part of the complex refractive index
  • k is the imaginary part of the complex refractive index
  • highly conductive materials in the context of the present invention fulfill the condition:
  • the criterion for highly conductive materials in the context of the present invention (k 2 / n> 1) is z. B. by numerous metals such as gold, copper, silver, chromium, aluminum, or by alloys such. As brass or stainless steel met.
  • the electromagnetic wave which acts on the highly conductive material, to use light from the visible spectral range or light from the spectral range of the near infrared. Accordingly, it is particularly preferred for the highly conductive material, if the criterion k 2 / n> 1 for light from the visible spectral range or light from the spectral range of the near infrared is met.
  • the penetration depth of the electromagnetic wave in the highly conductive material generally corresponds approximately to the so-called “skin depth” and a characterization of highly conductive materials. Details of the terms “skin depth” and “surface impedance” can be found in the "Handbook of Optical Constants of Solids II", Editor D. Palik, Academic Press, 1998. The same applies to electromagnetic conductivities of various materials.
  • a highly conductive layer of the present invention generally will be characterized by an electrical resistivity which is less than about 1 C • 10- 4 ohm-cm at 20 0th This criterion is z.
  • numerous metals such as gold, copper, silver, chromium, aluminum, but also by alloys such. As brass or stainless steel met. Specific resistances and electrical conductivities of various materials are known to those skilled in the art.
  • any material can be used with which the effect of the security element according to the invention is brought about and for which the criterion k 2 / n> 1 in relation to the electromagnetic conductivity is fulfilled (see above).
  • the highly conductive layer comprises a one- or two-dimensional lattice structure comprising a periodic arrangement of a multiplicity of lattice elements whose lateral dimensions and / or lateral distances are smaller than the test wavelength.
  • a periodic arrangement of lattice elements is understood below to mean any arrangement whose periodicity satisfies the definition given in Paperback of Mathematics "Bronstein, Semendjajew, 25th edition.”
  • the lattice elements forming the lattice structure are therefore regularly arranged, ie the lattice elements have, for example, a relation
  • the term "periodic arrangements” also encompasses "almost periodic arrangements.”
  • a fast-periodic arrangement is understood below to mean any arrangement which is not exact, but only approximately periodic can show the effect of the security element according to the invention if the deviation from a periodic arrangement is not too great
  • they can be mechanically checked for authenticity, whose diffraction properties are difficult to recognize and imitate for potential counterfeiters.
  • the lateral dimensions and / or the lateral distances are at least a factor of 1.5, preferably even at least a factor of 2 smaller than the test wavelength.
  • the security element is designed in particular for a mechanical optical authenticity check with light from the visible spectral range or for light from the spectral range of the near infrared.
  • the authenticity check can be carried out with monochromatic light or also with polychromatic light which contains the defined test wavelength or the defined test wavelengths.
  • the highly conductive layer with the lattice structure is advantageously designed so that the light incident on the authenticity test under a predetermined test angle excites surface polarities and / or cavity resonances in the layer.
  • the lattice structure of the highly conductive layer can be formed both as a reflection grating and as a transmission grating.
  • a reflection or a transmission grating may prove to be more suitable.
  • a reflection grating is used, while offering a transmission grating when used as a see-through element.
  • the grid elements are formed by parallel, highly conductive grid lines in order to form a one-dimensional periodic grid structure.
  • the period length is preferably smaller than the test wavelength, and is preferably at least a factor of 1.5 or even at least a factor of 2 smaller than the strigwellen- length.
  • the grid structure has a substructure within a period.
  • the grid elements are formed by regularly arranged perforations in an otherwise continuous highly conductive surface layer in order to form a two-dimensional periodic lattice structure.
  • the diameter of the perforations is preferably smaller than the test wavelength, preferably at least a factor of 1.5, more preferably at least a factor of 2 and most preferably at least a factor of 4 smaller than the test wavelength.
  • the lateral spacing of the perforations may be smaller than the test wavelength.
  • the ratio of the thickness of the surface layer to the diameter of the perforations is between 0.5 and 2, in particular about 1.0.
  • the wavelength and angle ranges with characteristic diffraction properties are then particularly sharp and clearly formed.
  • the thickness of the surface layer can be between 50 nm and 2 ⁇ m, preferably between 100 nm and 1 ⁇ m.
  • the highly conductive material of the highly conductive layer is preferably a metal, in particular one of the metals gold, silver, copper, aluminum or chromium.
  • the highly conductive material may also be a mixture of different materials, such.
  • the metals of the alloy are selected from the group comprising gold, silver, copper, aluminum or chromium.
  • the described optical authenticity check can also be carried out if the grid structure is embedded in a dielectric.
  • a dielectric glass or plastics are considered as dielectrics, in which latter case the security element expediently has a plastic film.
  • Suitable materials for the film are in particular PET (polyethylene terephthalate), PBT (polybutylene terephthalate), PEN (polyethylene naphthalate), PP (polypropylene), PA (polyamide) and PE (polyethylene).
  • the film may also be monoaxially or biaxially stretched. The stretching of the film, inter alia, leads to it receiving polarizing properties that can be used as another security feature. The tools required for exploiting these properties, such as polarization filters, are known to the person skilled in the art.
  • the dielectric may also be expedient for the dielectric to be a multilayer composite comprising at least one layer of paper or a paper-like layer. gene material has. Further dielectrics can be found on the website "http://wikipedia.org/ wiki / Specific_Wid erstand”.
  • the security element can be combined with a visually verifiable human feature.
  • the machine-testable highly conductive layer can be part of the visually verifiable human feature and can not easily be recognized as a machine-testable security feature by the normal user.
  • the security element is a security thread, a label, a transfer element or a see-through security element.
  • the invention also includes a method for producing a security element of the type described, in which a layer of a highly conductive material is provided with a one- or two-dimensional lattice structure of a periodic arrangement of a plurality of lattice elements, their lateral dimensions and / or lateral distances are smaller than the test wavelength.
  • the invention encompasses a data carrier, in particular a brand article or a value document, such as a banknote, a passport, a document, a banderole, an identification card or the like, which is provided with a security element of the type described.
  • the security element can be arranged in particular in a window area of the data carrier.
  • the window area can advantageously be punched out of the data carrier or produced by the action of laser radiation be.
  • it is also conceivable in principle to form the window area before the application of the security element for example in the sense of WO 03/054297 A2 during the production of the data carrier substrate, for. B. the papermaking.
  • the invention further relates to a method for mechanical optical authentication of a security element of the type described, in which
  • the highly conductive layer of the security element is exposed to light of the at least one defined test wavelength under the at least one defined illumination geometry
  • the light reflected or transmitted by the highly conductive layer is detected at at least one predetermined test wavelength
  • the authenticity of the security element is assessed on the basis of the intensity and / or the polarization of the detected light.
  • the light reflected in the zeroth diffraction order is detected in step c).
  • the light transmitted in the zeroth diffraction order is detected in step c).
  • step a at least two different test wavelengths are defined in step a), the light input in step c) detected at the at least two fixed test wavelengths and compared with each other in step d), wherein the authenticity of the security element is concluded when the light intensity is reduced at least one of the test wavelengths beyond a set level.
  • the surface layer can be acted upon in step b) simultaneously or sequentially with light of at least two different test wavelengths.
  • At least two different illumination angles are determined in step a), the light intensities are detected upon application of the at least two fixed illumination angles in step c) and compared with one another in step d), wherein the authenticity of the security element is determined. conclude when the light intensity is reduced beyond a fixed level at at least one of the illumination angles.
  • the light intensities are detected in step c) expediently with a spatially resolving detector.
  • the highly conductive layer in step b) is subjected to polarized light of preferably a predetermined test wavelength, and in step c) the polarization direction of the reflected or transmitted light is detected, wherein in step d) from a change in the polarization direction via a fixed level on the authenticity of the security element is closed.
  • the invention further comprises a device for mechanical optical authentication of a security element of the type described, with at least one light source for applying the layer of a highly conductive material of the security element to be tested with light of at least one specified test wavelength under at least one defined illumination geometry,
  • At least one detection device for detecting the light reflected or transmitted by the highly conductive layer
  • the light source is designed to act on the highly conductive layer of the security element with at least two different test wavelengths, and a wavelength-sensitive detection device is provided.
  • the light source for exposing the highly conductive layer of the security element is designed with light from at least two different illumination angles, and it is a spatially resolving detection device, such as a diode array provided.
  • a first polarizer in the beam path between the light source and the security element to be tested, a first polarizer, and in the beam path between the security element to be tested and the detection device is provided in the reverse direction to the first polarizer oriented second polarizer.
  • the security elements described can be combined with other visual and / or machine-readable security features.
  • the highly conductive layer can be provided with further functional layers, such as polarizing, phase-shifting, conductive, magnetic or luminescent layers, provided that they do not prevent the described effects according to the invention.
  • FIG. 1 is a schematic representation of a banknote with a security element according to the invention
  • FIG. 5 shows a security element with a one-dimensional periodic lattice structure according to a further exemplary embodiment of the invention
  • Embodiments of the invention with one-dimensional grid structures having a substructure within a period
  • FIG. 7 shows in (a) a test device for measuring the polarization conversion in reflection and in (b) a test device designed for measuring the polarization conversion in transmission.
  • FIG. 1 shows a schematic representation of a banknote 10, which has a security element 12 according to the invention for a mechanical optical authenticity check.
  • the security element 12 is designed primarily for a mechanical verification of the authenticity, but can of course for design reasons and / or for further increase anti-counterfeiting security with a human feature such as a hologram.
  • the security element 12 comprises a layer 20 of a highly conductive / highly conductive material, in particular a metal, which contains a two-dimensional lattice structure consisting of a regular arrangement of microperforations 22.
  • the layer 20 is formed in the embodiment shown as a surface layer in the sense of the above-mentioned definition. Ie. the surface layer has a very high conductivity essentially in the entire plane E defined by the security element 12. In Fig. 2, the plane E is defined by the two vectors ei and ⁇ 2.
  • microperforations 22 form in the embodiment shown
  • At least one of the two quantities is below the wavelength of the light used for the authenticity check, so that the microperforations form a sub-wavelength structure which, as explained in detail below, has characteristic properties in zeroth diffraction order shows.
  • the security elements according to the invention can be mechanically tested without great effort for authenticity.
  • hitherto known optical security features have obvious diffraction properties and are therefore easier to imitate than the sub-wavelength structures according to the invention, whose diffraction properties are difficult to detect and imitate in zeroth diffraction order for potential counterfeiters.
  • the particular diffraction properties of the highly conductive layers with subwavelength structures can be detected in the mechanical authentication by transmission measurements, reflection measurements or by a measurement of the polarization conversion, since they, as explained in more detail below, for each wavelength a strongly modified transmission, reflection or a characteristic Have polarization conversion.
  • the effects described in this application are currently interpreted as resonance effects on the highly conductive layer, which occur for certain properties of the surface layer (geometry, arrangement, material properties) for specific wavelengths and illumination angles of the incident test light. Physically, this resonance effect is currently explained by the excitation of surface polarites in the highly conductive layer, which can occur when momentum transfer of the incident photons to the surface polaritons is ensured and a component of the electric field of the incident radiation is perpendicular to the surface of the highly conductive layer.
  • the excited in this way collective oscillations of the electrons of the highly conductive layer are generally referred to as heatnpolaritonen or as heatnplasmonen.
  • the excitation of surface polaritons by the incident radiation has effects on the reflected or transmitted light.
  • the Formation of electromagnetic waves at the boundary layer leads to a high field enhancement at the surface.
  • increased ohmic losses occur in the highly conductive layer. This energy lacks the propagating diffraction orders, so that polaritone excitation can be detected as a sink in the reflected or transmitted light intensity.
  • the excitation of the surface polarites leads to a redistribution of the energies of the propagating diffraction orders.
  • Surface polarization excitation may therefore also result in increased transmission at certain wavelengths on transmission grids having a one- or two-dimensional periodicity.
  • Cavity resonances in the interstices of highly conductive grating structures can also cause resonance phenomena in the reflected or transmitted diffraction orders.
  • the location of these resonance wavelengths is also characteristic of the geometry of the lattice structure, in particular the thickness and their optical constants.
  • the transmission 32 has a characteristic depression 34 through the security element at the slightly oblique angle of incidence ⁇ o at a resonance wavelength ⁇ 2 , while at a normal angle of incidence no significantly reduced transmission in the case of FIG Wavelength ⁇ 2 is observed.
  • the depression 34 can be explained at oblique light incidence by the then possible excitation of surface polaritons, while the photons do not have a component perpendicular to the surface of the surface layer 20 under normal incidence of light and therefore have no impulse on the surface
  • the mechanical optical authenticity check of such a security element can, as illustrated in FIG. 4 (a), be effected, for example, by first determining an illumination angle and two test lengths, for example the slightly oblique angle of incidence ⁇ 0 and those denoted by X 1 and ⁇ 2 Wavelengths of Fig. 3. Then, the high-conductivity layer of the security element 40 with a light source 42 from the fixed illumination angle ⁇ o successively or simultaneously applied to light the two test wavelengths A 1 and X 2 and the transmission of zeroth diffraction order is detected by a wavelength-sensitive detector 44 , The authenticity of the security element can then be assessed by comparing the 40 transmitted in the test wavelengths Xi and X 2 light intensities Ii and I, respectively.
  • a security element according to the invention exhibits a significantly reduced transmission at the wavelength X 2 compared to the wavelength X 1 , whereas an imitated security element will not exhibit this characteristic reduction of the transmission.
  • the authenticity of the While I2 / I1 ⁇ Ithres indicates an imitated security element.
  • Fig. 4 Another way of checking the authenticity is illustrated in Fig. 4 (b).
  • the zeroth diffraction order transmitted by the security element 40 at the respective angles of incidence is detected by a spatially resolving detector 46, for example a diode array.
  • a security element according to the invention exhibits a markedly reduced transmission at the wavelength ⁇ 2 at the angle of incidence ⁇ 2 compared with the angle of incidence ⁇ i, while an imitated security element will not exhibit this characteristic reduction of the transmission.
  • I2 / I1 ⁇ Ithres with an appropriate threshold Ithres can be inferred on the authenticity of the security element, while I2 / I1 ⁇ Ithres an imitated security element.
  • the illumination can be done in this variant by two separate illumination sources 42, or even a flat extended illumination source, such as an LED array.
  • the surface layer 20 is preferably formed by a metal layer of gold, silver, copper, aluminum or chromium having a thickness t between 50 nm and 2 ⁇ m, in the exemplary embodiment by a silver layer having a thickness of 200 nm. det.
  • the microperforations 22 have a diameter d between about 50 nm and 1 .mu.m, in the embodiment of 200 nm on.
  • the distance ao adjacent perforations is preferably between 400 nm and 2 microns, in the embodiment at 900 nm.
  • the ratio of the layer thickness t to the diameter d of the perforations t / d is between 0.5 and 2, in particular about 1, although values outside this range are of course not excluded.
  • FIG. 5 shows a security element 50, in which a plurality of parallel, metallic grid lines 54 is applied to a carrier foil 52. While in the design shown in Fig. 2, the grid elements are formed by the micro-perforations 22, ie by non-conductive regions in an otherwise highly conductive layer, the grid elements in the design of Fig. 5 are formed inversely by highly conductive grid lines 54, between which, ie in the intermediate spaces, non-conductive areas exist. In the embodiment of FIG. 5, the highly conductive layer is thus formed by the highly conductive grid lines 54.
  • the plane E of this security element defined by the vectors e; i and e 2 comprises a highly conductive layer which has a very high conductivity in the sense of the invention essentially only in the direction of the vector e2.
  • the width b of the grating lines 54 and / or the grating period ao are below the wavelength of the light 56 used for the authenticity check. If the grating structure of FIG. 5 is exposed to p-polarized light 56 at an angle of incidence ⁇ o, its electric field vector 58 is perpendicular is the grating lines 54, then, according to the explanation given above at optical wavelengths ⁇ , which are greater than
  • the first evanescent orders excite surface polarites in the lattice structure when the condition
  • ksp denotes the real part of the wave vector of the surface polarity
  • ko the wave vector of the incident light in vacuum
  • G 2 ⁇ / ao a reciprocal lattice vector
  • One-dimensional grid structures may also have a substructure within a period, as illustrated by FIG. 6.
  • Fig. 6 (a) first shows a simple grating structure 60 having a slot 62 of width d within the period length ao.
  • FIGS. 6 (b) and (c) show configurations with three or five slots 62 of the same width d within one period. denlicate, so with a sub-structure within a period length, which of course also a different number of slots or different slot widths come into consideration.
  • the slot widths d are selected so that they are smaller than the wavelength of the light used for the authenticity check.
  • security elements with such grating structures can have an increased transmission at certain resonant wavelengths or even narrow valleys within areas of resonantly excessive transmission. This characteristic increased or reduced transmission can then, as already explained in connection with FIG. 4, be used for checking the authenticity of the security elements.
  • Lattice structures with one-dimensional periodicity additionally open up a further possibility for checking the authenticity of security elements according to the invention.
  • the excitation of surface polarites in lattices with one-dimensional periodicity causes, according to the current state of knowledge under suitable incident conditions, a rotation of the polarization plane of the diffracted light relative to the polarization vector of the incident light.
  • This polarization conversion can be detected, for example, by test devices as shown schematically in FIG.
  • the incident light 72 is p-polarized by a first polarizer 74 before the security element 70 to be tested is acted upon.
  • the light 76 which is reflected by the security element 70, arrives at the first polarizer in the reverse direction.
  • second polarizer 78 to a detector 75, which detects the intensity of the transmitted through the second polarizer 78 s-polarized light.
  • the security element 70 to be tested contains a sub-wavelength structure according to the invention having a one-dimensional periodicity, the result is an increased detector signal due to the polarization conversion described, the maximum signal strength being achieved if the grating vector of the grating structure is at 45 ° to the plane of incidence 72, 76 of the light , In the case of an intensity signal which is increased in relation to a threshold value, it is therefore possible to conclude that surface polarites are excited and thus the authenticity of the tested security element.
  • the polarization conversion can also be checked in transmission, as shown in Fig. 7 (b).
  • the incident light 82 passes through a first polarizer 84 and the security element 80 to be tested.
  • the transmitted light 86 arrives at the detector 85 via a second polarizer 88 oriented in the reverse direction relative to the first polarizer.
  • an increased detector signal can be used for the corresponding position of the Security element 80 on the excitation of shovenpolaritonen and thus on the authenticity of the security element to be tested 80 closed.

Abstract

The invention relates to a safety element (12) for machine-based optical authenticity testing using light that has a prescribed test wavelength, wherein the safety element according to the invention has a layer (20) made of a highly conductive material, the layer comprising a one or two-dimensional lattice structure made of a periodic arrangement of a plurality of lattice elements (22), the lateral dimensions (d) thereof and/or lateral distances (a<SUB>0</SUB>) thereof being smaller than the test wavelength.

Description

Sicherheitselement security element
Die Erfindung betrifft ein Sicherheitselement für die maschinelle optische Echtheitsprüfung mit Licht, das eine vorgegebene Prüfwellenlänge enthält. Die Erfindung betrifft ferner ein zugehöriges Herstellungsverfahren für das Sicherheitselement, einen entsprechend ausgestatteten Datenträger sowie ein Verfahren und eine Vorrichtung zur maschinellen optischen Echtheitsprüfung eines derartigen Sicherheitselements.The invention relates to a security element for mechanical optical authentication with light, which contains a predetermined test wavelength. The invention further relates to an associated manufacturing method for the security element, a correspondingly equipped data carrier and a method and a device for mechanical optical authentication of such a security element.
Datenträger, wie Wert- oder Ausweisdokumente, aber auch andere Wertgegenstände, wie etwa Markenartikel, werden zur Absicherung oft mit Sicherheitselementen versehen, die eine Überprüfung der Echtheit des Datenträgers gestatten und die zugleich als Schutz vor unerlaubter Reproduktion dienen. Die Sicherheitselemente können beispielsweise in Form eines in eine Banknote eingebetteten Sicherheitsfadens, einer Abdeckfolie für eine Banknote mit Loch, eines aufgebrachten Sicherheitsstreifens oder eines selbsttragenden Transferelements ausgebildet sein, das nach seiner Herstellung auf ein Wertdokument aufgebracht wird.Data carriers, such as valuables or identity documents, but also other valuables, such as branded goods, are often provided with security elements for the purpose of security, which permit verification of the authenticity of the data carrier and at the same time serve as protection against unauthorized reproduction. The security elements can be embodied, for example, in the form of a security thread embedded in a banknote, a covering film for a banknote with a hole, an applied security strip or a self-supporting transfer element which is applied to a value document after its manufacture.
Um die Fälschungssicherheit zu erhöhen, werden oft diffraktive Strukturen, wie Hologramme oder hologrammähnliche Beugungsstrukturen, als Sicherheitsmerkmale verwendet. Diese Strukturen dienen in erste Linie als Humanmerkmale und eignen sich wegen ihrer in der Regel inhomogenen late- ralen Gestaltung und dem Vorhandensein höherer Beugungsordnungen nur sehr begrenzt für die maschinelle Echtheitsüberprüfung. Darüber hinaus haben die bisher bekannten optischen Sicherheitsmerkmale offensichtliche Beugungseigenschaften, die auch von Fälschern relativ leicht erkannt und nachgeahmt werden können. Ausgehend davon liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, die Nachteile des Standes der Technik zu vermeiden. Insbesondere soll ein Sicherheitselement der eingangs genannten Art angegeben werden, das bei hoher Fälschungssicherheit auf einfache Weise maschinell auf Echtheit geprüft wer- den kann.To increase the security against forgery, often diffractive structures, such as holograms or hologram-like diffraction structures, are used as security features. These structures serve primarily as human features and, because of their generally inhomogeneous lateral design and the presence of higher diffraction orders, are only of limited use for mechanical authenticity checking. In addition, the previously known optical security features have obvious diffraction properties, which can also be detected and imitated relatively easily by counterfeiters. Proceeding from this, the object of the invention is to avoid the disadvantages of the prior art. In particular, a security element of the aforementioned type is to be specified, which can be tested for authenticity with high security against forgery in a simple manner.
Diese Aufgabe wird durch das Sicherheitselement mit den Merkmalen des Hauptanspruchs gelöst. Ein entsprechendes Herstellungsverfahren, einen mit einem derartigen Sicherheitselement ausgestatteten Datenträger sowie ein Verfahren und eine Vorrichtung zur maschinellen optischen Echtheitsprüfung eines derartigen Sicherheitselements sind in den nebengeordneten Ansprüchen angegeben. Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.This object is achieved by the security element having the features of the main claim. A corresponding production method, a data carrier equipped with such a security element as well as a method and a device for the mechanical optical authenticity check of such a security element are specified in the coordinated claims. Further developments of the invention are the subject of the dependent claims.
Gemäß der Erfindung ist bei einem gattungsgemäßen Sicherheitselement vorgesehen, dass das Sicherheitselement eine Schicht aus einem hochleitfä- higen Material aufweist. Die Schicht aus einem hochleitfähigen Material wird im Weiteren auch als „hochleitfähige Schicht" oder „hochleitende Schicht" bezeichnet. Bei der hochleitfähigen Schicht kann es sich zum einen um eine im Wesentlichen flächige Schicht (Flächenschicht) handeln. Eine solche Flächenschicht weist im Wesentlichen in der gesamten durch das Sicherheitselement definierten Ebene eine sehr hohe Leitfähigkeit auf. Zum anderen kann es sich bei der hochleitfähigen Schicht aber auch um eine Schicht handeln, die nicht im Wesentlichen in der gesamten durch das Si- cherheitselement definierten Ebene eine sehr hohe Leitfähigkeit aufweist, sondern nur in einem Teil der Ebene, z. B. entlang im Wesentlichen einer Richtung dieser Ebene. Letzteres ist z. B. bei einer hochleitfähigen Schicht der Fall, bei der eine eindimensionale Gitterstruktur mit einer Vielzahl an hochleitfähigen Gitterelementen die hohe Leitfähigkeit der Schicht gewähr- leistet, und zwar im Wesentlichen in nur einer Richtung der durch das Sicherheitselement definierten Ebene. Detailliertere Beschreibungen verschiedener hochleitfähiger Schichten finden sich in den nachfolgenden Ausführungen.According to the invention, it is provided in a generic security element that the security element has a layer of a highly conductive material. The layer of a highly conductive material is also referred to hereinafter as a "highly conductive layer" or "highly conductive layer". The highly conductive layer may on the one hand be a substantially flat layer (surface layer). Such a surface layer has a very high conductivity substantially in the entire plane defined by the security element. On the other hand, the highly conductive layer can also be a layer which does not have a very high conductivity essentially in the entire plane defined by the safety element, but only in a part of the plane, eg. Along substantially a direction of this plane. The latter is z. In the case of a highly conductive layer, for example, a one-dimensional lattice structure with a large number of highly conductive lattice elements ensures the high conductivity of the layer. essentially in only one direction of the plane defined by the security element. More detailed descriptions of various highly conductive layers can be found in the following.
Im Weiteren wird von einem hochleitfähigen Material oder einer hochleitfä- higen Schicht immer dann gesprochen, wenn die Leitfähigkeit des Materials oder der Schicht so groß ist, dass der Effekt des erfindungsgemäßen Sicherheitselements zutage tritt. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung betrifft der Begriff „Leitfähigkeit" in der Regel die elektromagnetische Leitfähigkeit. Wenn eine elektromagnetische Welle, wie im Rahmen dieser Erfindung, auf ein bestimmtens Material trifft, dringt die elektromagnetische Welle eine bestimmte Tiefe (Eindringtiefe) in das Material ein und wird dabei gedämpft. Das mit der elektromagnetischen Welle beaufschlagte Material ist durch eine elektromagnetische Leitfähigkeit charakterisiert, die insbesondere vom Material und von der Wellenlänge der elektromagnetischen Welle abhängt. Die elektromagnetische Leitfähigkeit kann über den komplexen Brechungsindex m definiert werden (siehe Kapitel 2, Seite 21 ff. „Convention confusions" des „Handbook of optical constants of solids II", Editor: Edward D. Palik, Aca- demic Press, 1998).In the following, a highly conductive material or a highly conductive layer is always used if the conductivity of the material or of the layer is so great that the effect of the security element according to the invention is evident. In the context of the present invention, the term "conductivity" usually refers to the electromagnetic conductivity: When an electromagnetic wave, as in the context of this invention, strikes a specific material, the electromagnetic wave penetrates a certain depth (penetration depth) into the material and The electromagnetic wave is characterized by an electromagnetic conductivity, which depends in particular on the material and the wavelength of the electromagnetic wave, and the electromagnetic conductivity can be defined by the complex refractive index m (see chapter 2, page 21 ff "Convention confusions" of the "Handbook of Optical Constants of Solids II", Editor: Edward D. Palik, Academic Press, 1998).
Dabei gilt:Where:
m = n + ik.m = n + ik.
Dabei bezeichnet m den komplexen Brechungsindex, n den Realteil des komplexen Brechungsindex und k den Imaginärteil des komplexen Brechungsindex. Für hochleitfähige Materialien im Sinne der vorliegenden Erfindung gilt:Where m is the complex refractive index, n is the real part of the complex refractive index and k is the imaginary part of the complex refractive index. For highly conductive materials according to the present invention, the following applies:
k2 k 2
— > 1 n-> 1 n
Besonders bevorzugt erfüllen hochleitfähige Materialien im Sinne der vorliegenden Erfindung die Bedingung:With particular preference, highly conductive materials in the context of the present invention fulfill the condition:
d.h. der Quotient k2/n ist erheblich größer als 1.ie the quotient k 2 / n is significantly greater than 1.
Das Kriterium für hochleitfähige Materialien im Sinne der vorliegenden Erfindung (k2/n > 1) wird z. B. durch zahlreiche Metalle, wie Gold, Kupfer, Silber, Chrom, Aluminium, oder auch durch Legierungen, wie z. B. Messing oder Edelstahl erfüllt.The criterion for highly conductive materials in the context of the present invention (k 2 / n> 1) is z. B. by numerous metals such as gold, copper, silver, chromium, aluminum, or by alloys such. As brass or stainless steel met.
Wie weiter unten noch ausgeführt wird, ist es besonders besonders bevorzugt, wenn für die elektromagnetische Welle, die das hochleitfähige Material beaufschlagt, Licht aus dem sichtbaren Spektralbereich oder Licht aus dem Spektralbereich des Nahen Infrarot verwendet wird. Entsprechend ist es für das hochleitfähige Material besonders bevorzugt, wenn das Kriterium k2/n > 1 für Licht aus dem sichtbaren Spektralbereich oder Licht aus dem Spektralbereich des nahen Infrarot erfüllt ist.As will be explained below, it is particularly particularly preferred for the electromagnetic wave, which acts on the highly conductive material, to use light from the visible spectral range or light from the spectral range of the near infrared. Accordingly, it is particularly preferred for the highly conductive material, if the criterion k 2 / n> 1 for light from the visible spectral range or light from the spectral range of the near infrared is met.
Ergänzend sei hier noch erwähnt, dass die Eindringtiefe der elektromagnetischen Welle im hochleitfähigen Material in der Regel etwa der sogenannten „Skintiefe" entspricht und eine Charakterisierung hochleitfähiger Materia- lien auch durch die sogenannte „Oberflächenimpedanz" möglich ist. Einzelheiten zu den Begriffen „Skintiefe" und „Oberflächenimpedanz" sind dem „Handbook of optical constants of solids II", Editor D. Palik, Academic Press, 1998, zu entnehmen. Gleiches gilt für elektromagnetische Leitfähigkei- ten verschiedener Materialien.In addition, it should also be mentioned here that the penetration depth of the electromagnetic wave in the highly conductive material generally corresponds approximately to the so-called "skin depth" and a characterization of highly conductive materials. Details of the terms "skin depth" and "surface impedance" can be found in the "Handbook of Optical Constants of Solids II", Editor D. Palik, Academic Press, 1998. The same applies to electromagnetic conductivities of various materials.
Schließlich sei an dieser Stelle noch erwähnt, dass ein Material mit einer hohen elektromagnetischen Leitfähigkeit gemäß obiger Definition in aller Regel auch eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweist.Finally, it should be mentioned at this point that a material with a high electromagnetic conductivity according to the above definition usually also has a high electrical conductivity.
Der Kehrwert der elektrischen Leitfähigkeit wird dabei als spezifischer elektrischer Widerstand bezeichnet. Je höher die elektrische Leitfähigkeit eines Materials bei einer bestimmten Temperatur, desto niedriger ist folglich der spezifische elektrische Widerstand bei dieser Temperatur. Ohne auf genaue Zahlenwerte festgelegt zu sein, wird eine hochleitfähige Schicht der vorliegenden Erfindung in der Regel durch einen spezifischen elektrischen Widerstand charakterisiert sein, der bei 20 0C kleiner als ca. 1 • 10-4 Ωcm ist. Dieses Kriterium wird z. B. durch zahlreiche Metalle, wie Gold, Kupfer, Silber, Chrom, Aluminium, aber auch durch Legierungen, wie z. B. Messing oder Edelstahl erfüllt. Spezifische Widerstände und elektrische Leitfähigkeiten verschiedener Materialien sind dem Fachmann bekannt. Darüber hinaus können einzelne spezifische elektrische Widerstände der Tabelle 4-2, Seite 227 des Lehrbuchs „Physik für Ingenieure" Hering, Martin, Stohrer, 5. Auflage, VDI-Verlag, 1995 oder der Internetseite „http://de.wikipedia.org/ wiki/Spezifischer_Wider stand" entnommen werden.The reciprocal of the electrical conductivity is referred to as a specific electrical resistance. Consequently, the higher the electrical conductivity of a material at a given temperature, the lower the specific electrical resistance at that temperature. Without wishing to be set to exact numerical values, a highly conductive layer of the present invention generally will be characterized by an electrical resistivity which is less than about 1 C • 10- 4 ohm-cm at 20 0th This criterion is z. As by numerous metals such as gold, copper, silver, chromium, aluminum, but also by alloys such. As brass or stainless steel met. Specific resistances and electrical conductivities of various materials are known to those skilled in the art. In addition, specific electrical resistances of Table 4-2, page 227 of the textbook "Physics for Engineers" Hering, Martin, Stohrer, 5th edition, VDI-Verlag, 1995 or the website "http://de.wikipedia.org / wiki / Specific_Wider stand ".
Wie bereits erwähnt, kann aber jedes Material eingesetzt werden, mit dem die Wirkung des erfindungsgemäßen Sicherheitselements herbeigeführt werden kann und für das das Kriterium k2/n > 1 im Zusammenhang mit der elektromagnetischen Leitfähigkeit erfüllt wird (siehe oben).As already mentioned, however, any material can be used with which the effect of the security element according to the invention is brought about and for which the criterion k 2 / n> 1 in relation to the electromagnetic conductivity is fulfilled (see above).
Die hochleitfähige Schicht enthält erfindungsgemäß eine ein- oder zweidi- mensionale Gitterstruktur aus einer periodischen Anordnung einer Vielzahl von Gitterelementen, deren laterale Abmessungen und/ oder laterale Abstände kleiner als die Prüf Wellenlänge sind. Unter einer periodischen Anordnung von Gitterelementen wird im Weiteren eine jede Anordnung verstanden, deren Periodizität der im Taschenbuch der Mathematik" Bronstein, Semendjajew, 25. Auflage, angeführten Definition genügt. Die die Gitterstruktur bildenden Gitterelementen sind demnach regelmäßig angeordnet, d.h. die Gitterelemente weisen z.B. bezüglich ihres Abstands ein wiederkehrendes Intervall auf. Ferner werden durch den Begriff „periodische Anordnungen" auch „fastperiodische Anordnungen" erfasst. Unter einer fastperi- odischen Anordnung wird im Weiteren eine jede Anordnung verstanden, die nicht exakt, sondern nur annähernd periodisch ist. Auch solche Anordnungen können bei nicht zu großer Abweichung von einer periodischen Anordnung den Effekt des erfindungsgemäßen Sicherheitselementes zeigen. Die Subwellenlängenstrukturen des Sicherheitselements weisen charakteris- tische Beugungseigenschaften in nullter Beugungsordnung auf, die sich einerseits mit geringem Aufwand maschinell auf Echtheit prüfen lassen, deren Beugungseigenschaften andererseits für potentielle Fälscher nur schwer erkennbar und nachahmbar sind.According to the invention, the highly conductive layer comprises a one- or two-dimensional lattice structure comprising a periodic arrangement of a multiplicity of lattice elements whose lateral dimensions and / or lateral distances are smaller than the test wavelength. A periodic arrangement of lattice elements is understood below to mean any arrangement whose periodicity satisfies the definition given in Paperback of Mathematics "Bronstein, Semendjajew, 25th edition." The lattice elements forming the lattice structure are therefore regularly arranged, ie the lattice elements have, for example, a relation Furthermore, the term "periodic arrangements" also encompasses "almost periodic arrangements." A fast-periodic arrangement is understood below to mean any arrangement which is not exact, but only approximately periodic can show the effect of the security element according to the invention if the deviation from a periodic arrangement is not too great On the other hand, they can be mechanically checked for authenticity, whose diffraction properties are difficult to recognize and imitate for potential counterfeiters.
In einer bevorzugten Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Sicherheitselements sind die lateralen Abmessungen und/ oder die lateralen Abstände mindestens um einen Faktor 1,5, vorzugsweise sogar mindestens um einen Faktor 2 kleiner als die Prüfwellenlänge. Das Sicherheitselement ist insbesondere auf eine maschinelle optische Echtheitsprüfung mit Licht aus dem sichtbaren Spektralbereich oder für Licht aus dem Spektralbereich des Nahen Infrarot ausgelegt. Die Echtheitsprüfung kann dabei mit monochromatischem Licht erfolgen oder auch mit polychro- matischem Licht, das die festgelegte Prüfwellenlänge bzw. die festgelegten Prüfwellenlängen enthält.In a preferred embodiment of the security element according to the invention, the lateral dimensions and / or the lateral distances are at least a factor of 1.5, preferably even at least a factor of 2 smaller than the test wavelength. The security element is designed in particular for a mechanical optical authenticity check with light from the visible spectral range or for light from the spectral range of the near infrared. The authenticity check can be carried out with monochromatic light or also with polychromatic light which contains the defined test wavelength or the defined test wavelengths.
Die hochleitfähige Schicht mit der Gitterstruktur ist im Rahmen der Erfindung mit Vorteil so ausgelegt, dass das bei der Echtheitsprüfung unter ei- nem vorgegebenen Prüfwinkel einfallende Licht Oberflächenpolaritonen und/ oder Hohlraumresonanzen in der Schicht anregt. Ohne durch diese Erklärung festgelegt sein zu wollen, wird das gegenwärtige Verständnis des physikalischen Hintergrunds der erfindungsgemäß ausgenutzten Effekte weiter unten genauer erläutert.Within the scope of the invention, the highly conductive layer with the lattice structure is advantageously designed so that the light incident on the authenticity test under a predetermined test angle excites surface polarities and / or cavity resonances in the layer. Without wishing to be bound by this explanation, the present understanding of the physical background of the effects exploited according to the invention will be explained in more detail below.
Die Gitterstruktur der hochleitfähigen Schicht kann sowohl als Reflexionsgitter als auch als Transmissionsgitter ausgebildet sein. Je nach Einsatzzweck des Sicherheitselements kann sich ein Reflexions- oder ein Transmissionsgitter als geeigneter herausstellen. Beispielsweise wird bei einem Einsatz des Sicherheitselements auf einem opaken Träger zweckmäßig ein Reflexionsgitter verwendet, während sich bei Einsatz als Durchsichtselement ein Transmissionsgitter anbietet.The lattice structure of the highly conductive layer can be formed both as a reflection grating and as a transmission grating. Depending on the intended use of the security element, a reflection or a transmission grating may prove to be more suitable. For example, when using the security element on an opaque carrier expediently a reflection grating is used, while offering a transmission grating when used as a see-through element.
Die Gitterelemente sind in einer vorteilhaften Erfindungsvariante durch pa- rallele, hochleitfähige Gitterlinien gebildet, um eine eindimensionale periodische Gitterstruktur zu bilden. Die Periodenlänge ist dabei bevorzugt kleiner als die Prüfwellenlänge, und ist vorzugsweise mindestens um einen Faktor 1,5 oder sogar um mindestens einen Faktor 2 kleiner als die Prüfwellen- länge. In einer Weiterbildung dieser Erfindungsvariante weist die Gitterstruktur innerhalb einer Periode eine Unterstruktur auf.In an advantageous variant of the invention, the grid elements are formed by parallel, highly conductive grid lines in order to form a one-dimensional periodic grid structure. The period length is preferably smaller than the test wavelength, and is preferably at least a factor of 1.5 or even at least a factor of 2 smaller than the Prüfwellen- length. In a development of this variant of the invention, the grid structure has a substructure within a period.
In einer anderen ebenfalls vorteilhaften Erfindungsvariante sind die Gitter- elemente durch regelmäßig angeordnete Perforationen in einer ansonsten durchgehenden hochleitfähigen Flächenschicht gebildet, um eine zweidimensionale periodische Gitterstruktur zu bilden. Der Durchmesser der Perforationen ist dabei vorzugsweise kleiner als die Prüfwellenlänge, bevorzugt mindestens um einen Faktor 1,5, besonders bevorzugt um mindestens einen Faktor 2 und ganz besonders bevorzugt um mindestens einen Faktor 4 kleiner als die Prüfwellenlänge.In another likewise advantageous variant of the invention, the grid elements are formed by regularly arranged perforations in an otherwise continuous highly conductive surface layer in order to form a two-dimensional periodic lattice structure. The diameter of the perforations is preferably smaller than the test wavelength, preferably at least a factor of 1.5, more preferably at least a factor of 2 and most preferably at least a factor of 4 smaller than the test wavelength.
Zusätzlich, aber nicht zwingend, kann auch der laterale Abstand der Perforationen kleiner als die Prüfwellenlänge sein.Additionally, but not necessarily, the lateral spacing of the perforations may be smaller than the test wavelength.
Besonders gute Ergebnisse lassen sich erzielen, wenn das Verhältnis der Dicke der Flächenschicht zum Durchmesser der Perforationen zwischen 0,5 und 2, insbesondere bei etwa 1,0 liegt. Die Wellenlängen- und Winkelbereiche mit charakteristischen Beugungseigenschaften sind dann besonders scharf und deutlich ausgebildet.Particularly good results can be achieved if the ratio of the thickness of the surface layer to the diameter of the perforations is between 0.5 and 2, in particular about 1.0. The wavelength and angle ranges with characteristic diffraction properties are then particularly sharp and clearly formed.
In allen genannten Ausgestaltungen kann die Dicke der Flächenschicht zwischen 50 ran und 2 μm, vorzugsweise zwischen 100 ran und 1 μm liegen. Das hochleitende Material der hochleitfähigen Schicht ist vorzugsweise ein Me- tall, insbesondere eines der Metalle Gold, Silber, Kupfer, Aluminium oder Chrom.In all of the stated embodiments, the thickness of the surface layer can be between 50 nm and 2 μm, preferably between 100 nm and 1 μm. The highly conductive material of the highly conductive layer is preferably a metal, in particular one of the metals gold, silver, copper, aluminum or chromium.
Selbstverständlich kann das hochleitende Material auch eine Mischung verschiedener Materialien sein, so z. B. eine Legierung aus zwei oder mehr als zwei Metallen. Mit Vorteil sind die Metalle der Legierung ausgewählt aus der Gruppe, umfassend Gold, Silber, Kupfer, Aluminium oder Chrom. Voraussetzung für den Einsatz eines hochleitenden Materials im Zusammenhang mit der in dieser Anmeldung beschriebenen Erfindung ist die Möglich- keit, eine hochleitende Schicht herzustellen, die die ein- oder zweidimensionale Gitterstruktur des erfindungsgemäßen Sicherheitselementes enthält.Of course, the highly conductive material may also be a mixture of different materials, such. B. an alloy of two or more than two metals. Advantageously, the metals of the alloy are selected from the group comprising gold, silver, copper, aluminum or chromium. The prerequisite for the use of a highly conductive material in connection with the invention described in this application is the possibility of producing a highly conductive layer containing the one- or two-dimensional lattice structure of the security element according to the invention.
Die beschriebene optische Echtheitsprüfung kann auch ausgeführt werden, wenn die Gitterstruktur in ein Dielektrikum eingebettet ist. Als Dielektrikum kommen unter anderem Glas oder Kunststoffe in Betracht, wobei in letzterem Fall das Sicherheitselement zweckmäßigerweise eine Kunststofffolie aufweist.The described optical authenticity check can also be carried out if the grid structure is embedded in a dielectric. Among others, glass or plastics are considered as dielectrics, in which latter case the security element expediently has a plastic film.
Als Material für die Folie kommen insbesondere PET (Polyethylenterephtha- lat), PBT (Polybutylenterephthalat), PEN (Polyethylennaphthalat), PP (Polypropylen), PA (Polyamid) und PE (Polyethylen) in Betracht. Die Folie kann ferner monoaxial oder biaxial gereckt sein. Die Reckung der Folie führt unter anderem dazu, dass sie polarisierende Eigenschaften erhält, die als weiteres Sicherheitsmerkmal genutzt werden können. Die zur Ausnutzung dieser Eigenschaften erforderlichen Hilfsmittel, wie Polarisationsfilter, sind dem Fachmann bekannt.Suitable materials for the film are in particular PET (polyethylene terephthalate), PBT (polybutylene terephthalate), PEN (polyethylene naphthalate), PP (polypropylene), PA (polyamide) and PE (polyethylene). The film may also be monoaxially or biaxially stretched. The stretching of the film, inter alia, leads to it receiving polarizing properties that can be used as another security feature. The tools required for exploiting these properties, such as polarization filters, are known to the person skilled in the art.
Als Dielektrikum ist auch Papier, insbesondere Baumwoll- Velinpapier, denkbar. Selbstverständlich kann auch Papier eingesetzt werden, welches einen Anteil x polymeren Materials im Bereich von 0 < x < 100 Gew.-% enthält.As a dielectric and paper, especially cotton vellum paper, conceivable. Of course, it is also possible to use paper which contains a proportion of polymeric material in the range of 0 <x <100% by weight.
Zweckmäßig kann es auch sein, wenn das Dielektrikum ein mehrschichtiger Verbund ist, der wenigstens eine Schicht aus Papier oder einem papierarti- gen Material aufweist. Weitere Dielektrika können der Internetseite „http://wikipedia.org/ wiki/Spezifischer_Wid erstand" entnommen werden.It may also be expedient for the dielectric to be a multilayer composite comprising at least one layer of paper or a paper-like layer. gene material has. Further dielectrics can be found on the website "http://wikipedia.org/ wiki / Specific_Wid erstand".
Zur weiteren Erhöhung der Fälschungssicherheit oder aus Designgründen kann das Sicherheitselement mit einem visuell prüfbaren Humanmerkmal kombiniert sein. Insbesondere kann die maschinell prüfbare hochleitfähige Schicht Teil des visuell prüfbaren Humanmerkmals sein und für den normalen Nutzer nicht ohne Weiteres als maschinell prüfbares Sicherheitsmerkmal erkennbar sein.To further increase the security against forgery or for design reasons, the security element can be combined with a visually verifiable human feature. In particular, the machine-testable highly conductive layer can be part of the visually verifiable human feature and can not easily be recognized as a machine-testable security feature by the normal user.
In vorteilhaften Ausgestaltungen ist das Sicherheitselement ein Sicherheitsfaden, ein Etikett, ein Transferelement oder ein Durchsichtssicherheitsele- ment.In advantageous embodiments, the security element is a security thread, a label, a transfer element or a see-through security element.
Die Erfindung umfasst auch ein Verfahren zur Herstellung eines Sicherheitselements der beschriebenen Art, bei dem eine Schicht aus einem hochleitfä- higen Material mit einer ein- oder zweidimensionalen Gitterstruktur aus einer periodischen Anordnung einer Vielzahl von Gitterelementen versehen wird, deren laterale Abmessungen und/ oder laterale Abstände kleiner als die Prüf Wellenlänge sind.The invention also includes a method for producing a security element of the type described, in which a layer of a highly conductive material is provided with a one- or two-dimensional lattice structure of a periodic arrangement of a plurality of lattice elements, their lateral dimensions and / or lateral distances are smaller than the test wavelength.
Ferner umfasst die Erfindung einen Datenträger, insbesondere einen Markenartikel oder ein Wertdokument, wie eine Banknote, einen Pass, eine Ur- künde, eine Banderole, eine Ausweiskarte oder dergleichen, der mit einem Sicherheitselement der beschriebenen Art ausgestattet ist. Das Sicherheitselement kann dabei insbesondere in einem Fensterbereich des Datenträgers angeordnet sein. Der Fensterbereich kann dabei mit Vorteil aus dem Datenträger ausgestanzt oder durch Einwirkung von Laserstrahlung hergestellt sein. Selbstverständlich ist es grundsätzlich auch denkbar, den Fensterbereich vor dem Aufbringen des Sicherheitselements auszubilden, und zwar z.B. im Sinne der WO 03/054297 A2 während der Herstellung des Datenträgersubstrats, z. B. der Papierherstellung.Furthermore, the invention encompasses a data carrier, in particular a brand article or a value document, such as a banknote, a passport, a document, a banderole, an identification card or the like, which is provided with a security element of the type described. The security element can be arranged in particular in a window area of the data carrier. The window area can advantageously be punched out of the data carrier or produced by the action of laser radiation be. Of course, it is also conceivable in principle to form the window area before the application of the security element, for example in the sense of WO 03/054297 A2 during the production of the data carrier substrate, for. B. the papermaking.
Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur maschinellen optischen Echtheitsprüfung eines Sicherheitselements der beschriebenen Art, bei demThe invention further relates to a method for mechanical optical authentication of a security element of the type described, in which
a) zumindest eine Prüfwellenlänge und zumindest eine Beleuchtungs- geometrie für die Echtheitsprüfung festgelegt wird,a) at least one test wavelength and at least one illumination geometry for the authenticity test is determined;
b) die hochleitfähige Schicht des Sicherheitselements mit Licht der zumindest einen festgelegten Prüfwellenlänge unter der zumindest einen festlegten Beleuchtungsgeometrie beaufschlagt wird,b) the highly conductive layer of the security element is exposed to light of the at least one defined test wavelength under the at least one defined illumination geometry,
c) das von der hochleitfähigen Schicht reflektierte oder transmittierte Licht bei zumindest einer festgelegten Prüfwellenlänge erf asst wird, undc) the light reflected or transmitted by the highly conductive layer is detected at at least one predetermined test wavelength, and
d) die Echtheit des Sicherheitselements auf Grundlage der Intensität und/ oder der Polarisation des erfassten Lichts beurteilt wird.d) the authenticity of the security element is assessed on the basis of the intensity and / or the polarization of the detected light.
In einer vorteilhaften Verfahrensvariante wird dabei in Schritt c) das in der nullten Beugungsordnung reflektierte Licht erfasst. Bei einer anderen eben- falls vorteilhaften Variante, wird in Schritt c) das in der nullten Beugungsordnung transmittierte Licht erfasst.In an advantageous variant of the method, the light reflected in the zeroth diffraction order is detected in step c). In another likewise advantageous variant, the light transmitted in the zeroth diffraction order is detected in step c).
Bei einer Weiterbildung des Verfahrens werden in Schritt a) zumindest zwei verschiedene Prüf Wellenlängen festgelegt, werden in Schritt c) die Lichtin- tensitäten bei den zumindest zwei festgelegten Prüfwellenlängen erfasst und in Schritt d) miteinander verglichen, wobei auf die Echtheit des Sicherheitselements geschlossen wird, wenn die Lichtintensität bei zumindest einer der Prüfwellenlängen über ein festgelegtes Maß hinaus verringert ist.In a further development of the method, at least two different test wavelengths are defined in step a), the light input in step c) detected at the at least two fixed test wavelengths and compared with each other in step d), wherein the authenticity of the security element is concluded when the light intensity is reduced at least one of the test wavelengths beyond a set level.
Die Flächenschicht kann dabei in Schritt b) gleichzeitig oder nacheinander mit Licht der zumindest zwei verschiedene Prüfwellenlängen beaufschlagt werden.The surface layer can be acted upon in step b) simultaneously or sequentially with light of at least two different test wavelengths.
Nach einer anderen Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens werden in Schritt a) zumindest zwei unterschiedliche Beleuchtungswinkel festgelegt, werden in Schritt c) die Lichtintensitäten bei Beaufschlagung aus den zumindest zwei festgelegten Beleuchtungswinkeln erfasst und in Schritt d) miteinander verglichen, wobei auf die Echtheit des Sicherheitselements ge- schlössen wird, wenn die Lichtintensität bei zumindest einem der Beleuchtungswinkel über ein festgelegtes Maß hinaus verringert ist.According to another development of the method according to the invention, at least two different illumination angles are determined in step a), the light intensities are detected upon application of the at least two fixed illumination angles in step c) and compared with one another in step d), wherein the authenticity of the security element is determined. conclude when the light intensity is reduced beyond a fixed level at at least one of the illumination angles.
Die Lichtintensitäten werden dabei in Schritt c) zweckmäßig mit einem ortsauflösenden Detektor erfasst.The light intensities are detected in step c) expediently with a spatially resolving detector.
Bei einer weiteren vorteilhaften Weiterbildung wird die hochleitfähige Schicht in Schritt b) mit polarisiertem Licht der vorzugsweise einen festgelegten Prüfwellenlänge beaufschlagt, und wird in Schritt c) die Polarisationsrichtung des reflektierten oder transmittierten Lichts erfasst, wobei in Schritt d) aus einer Änderung der Polarisationsrichtung über ein festgelegtes Maß hinaus auf die Echtheit des Sicherheitselements geschlossen wird.In a further advantageous development, the highly conductive layer in step b) is subjected to polarized light of preferably a predetermined test wavelength, and in step c) the polarization direction of the reflected or transmitted light is detected, wherein in step d) from a change in the polarization direction via a fixed level on the authenticity of the security element is closed.
Die Erfindung umfasst ferner eine Vorrichtung zur maschinellen optischen Echtheitsprüfung eines Sicherheitselements der beschriebenen Art, mit zumindest einer Lichtquelle zum Beaufschlagen der Schicht aus einem hochleitfähigen Material des zu prüfenden Sicherheitselements mit Licht zumindest einer festgelegten Prüfwellenlänge unter zumindest einer festlegten Beleuchtungsgeometrie,The invention further comprises a device for mechanical optical authentication of a security element of the type described, with at least one light source for applying the layer of a highly conductive material of the security element to be tested with light of at least one specified test wavelength under at least one defined illumination geometry,
zumindest einer Detektionseinrichtung zum Erfassen des von der hochleitfähigen Schicht reflektierten oder transmittierten Lichts, undat least one detection device for detecting the light reflected or transmitted by the highly conductive layer, and
Mittel zum Bewerten der Intensität und/ oder der Polarisation des erfassten Lichts bei der zumindest einen festgelegten Prüf weilenlänge und/ oder bei der zumindest einen festlegten Beleuchtungsgeometrie, und zum Beurteilen der Echtheit des zu prüfenden Sicherheitselements auf Grundlage der vorgenommenen Bewertung.Means for evaluating the intensity and / or the polarization of the detected light at the at least one predetermined test length and / or at least one fixed illumination geometry, and for assessing the authenticity of the security element to be tested based on the evaluation made.
In einer bevorzugten Ausgestaltung ist die Lichtquelle dabei zur Beaufschlagung der hochleitfähigen Schicht des Sicherheitselements mit zumindest zwei verschiedenen Prüfwellenlängen ausgelegt, und es ist eine wellenlängenempfindliche Detektionseinrichtung vorgesehen.In a preferred embodiment, the light source is designed to act on the highly conductive layer of the security element with at least two different test wavelengths, and a wavelength-sensitive detection device is provided.
In einer anderen vorteilhaften Ausgestaltung ist die Lichtquelle zur Beaufschlagung der hochleitfähigen Schicht des Sicherheitselements mit Licht aus zumindest zwei unterschiedlichen Beleuchtungswinkeln ausgelegt, und es ist eine ortsauflösende Detektionseinrichtung, wie etwa ein Diodenarray, vorgesehen.In another advantageous embodiment, the light source for exposing the highly conductive layer of the security element is designed with light from at least two different illumination angles, and it is a spatially resolving detection device, such as a diode array provided.
Bei einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung zur Echtheitsprüfung unter Nutzung der Polarisationskonversion ist im Strahlengang zwischen der Lichtquelle und dem zu prüfenden Sicherheitselement ein erster Polarisator, und im Strahlengang zwischen dem zu prüfenden Sicherheitselement und der Detektionseinrichtung ein in Sperrrichtung zum ersten Polarisator orientierter zweiter Polarisator vorgesehen.In a further advantageous embodiment for authenticity testing using the polarization conversion is in the beam path between the light source and the security element to be tested, a first polarizer, and in the beam path between the security element to be tested and the detection device is provided in the reverse direction to the first polarizer oriented second polarizer.
Selbstverständlich lassen sich die beschriebenen Sicherheitselemente mit weiteren visuellen und/ oder maschinenlesbaren Sicherheitsmerkmalen kombinieren. So kann die hochleitfähige Schicht beispielsweise mit weiteren Funktionsschichten, wie etwa polarisierenden, phasenschiebenden, leitfähigen, magnetischen oder lumineszierenden Schichten, ausgestattet werden, soweit sie die beschriebenen erfindungsgemäßen Effekte nicht unterbinden.Of course, the security elements described can be combined with other visual and / or machine-readable security features. For example, the highly conductive layer can be provided with further functional layers, such as polarizing, phase-shifting, conductive, magnetic or luminescent layers, provided that they do not prevent the described effects according to the invention.
Denkbar ist ferner die Einbettung des erfindungsgemäßen Sicherheitselements in eine polarisierende Folie bzw. zwischen zwei sich gegenüberliegenden polarisierenden Folien, wobei die Polarisationsrichtungen der beiden Folien zueinander gekreuzt sind.It is also conceivable embedding the security element according to the invention in a polarizing film or between two opposing polarizing films, wherein the polarization directions of the two films are crossed to each other.
Weitere Ausführungsbeispiele sowie Vorteile der Erfindung werden nachfolgend anhand der Figuren erläutert, bei deren Darstellung auf eine maß- stabs- und proportionsgetreue Wiedergabe verzichtet wurde, um die Anschaulichkeit zu erhöhen.Further exemplary embodiments and advantages of the invention are explained below with reference to the figures, in the representation of which a representation in terms of scale and proportions has been dispensed with in order to increase the clarity.
Es zeigen:Show it:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Banknote mit einem erfindungsgemäßen Sicherheitselement,1 is a schematic representation of a banknote with a security element according to the invention,
Fig. 2 eine detailliertere Aufsicht auf einen Ausschnitt des Sicherheitselements der Fig. 1, Fig. 3 schematische Transmissionskurven, die die Intensität I des durch ein erfindungsgemäßes Sicherheitselement transmittier- ten Lichts in Abhängigkeit von der Wellenlänge λ zeigen, in (a) für senkrechten Lichteinfall θ = 0° und in (b) für einen Einfalls- winkel θ = θo, beispielsweise θ = 0,5°,2 is a more detailed plan view of a detail of the security element of FIG. 1, 3 shows schematic transmission curves which show the intensity I of the light transmitted by a security element according to the invention as a function of the wavelength λ, in (a) for vertical incidence of light θ = 0 ° and in (b) for an incidence angle θ = θo, for example θ = 0.5 °,
Fig. 4 in (a) und (b) zwei Varianten der maschinellen optischen Echtheitsprüfung eines erfindungsgemäßen Sicherheitselements in Transmission,4 shows in (a) and (b) two variants of the mechanical optical authenticity check of a security element according to the invention in transmission,
Fig. 5 ein Sicherheitselement mit einer eindimensionalen periodischen Gitterstruktur nach einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung,5 shows a security element with a one-dimensional periodic lattice structure according to a further exemplary embodiment of the invention,
Fig. 6 in (a) bis (c) im Querschnitt Sicherheitselemente nach weiterenFig. 6 in (a) to (c) in cross-section security elements for further
Ausführungsbeispielen der Erfindung mit eindimensionalen Gitterstrukturen, die innerhalb einer Periode eine Unterstruktur aufweisen, undEmbodiments of the invention with one-dimensional grid structures having a substructure within a period, and
Fig. 7 in (a) eine Prüfvorrichtung zur Messung der Polarisationskonversion in Reflexion und in (b) eine auf Messung der Polarisationskonversion in Transmission ausgelegte Prüfvorrichtung.7 shows in (a) a test device for measuring the polarization conversion in reflection and in (b) a test device designed for measuring the polarization conversion in transmission.
Die Erfindung wird nun am Beispiel einer Banknote näher erläutert. Fig. 1 zeigt dazu eine schematische Darstellung einer Banknote 10, die ein erfindungsgemäßes Sicherheitselement 12 für eine maschinelle optische Echtheitsprüfung aufweist. Wie nachfolgend im Detail erläutert, ist das Sicherheitselement 12 zwar primär auf eine maschinelle Überprüfung der Echtheit ausgelegt, kann jedoch selbstverständlich aus Designgründen und/ oder zur weiteren Erhöhung der Fälschungssicherheit mit einem Humanmerkmal, wie etwa einem Hologramm, kombiniert sein.The invention will now be explained in more detail using the example of a banknote. 1 shows a schematic representation of a banknote 10, which has a security element 12 according to the invention for a mechanical optical authenticity check. As explained in detail below, the security element 12 is designed primarily for a mechanical verification of the authenticity, but can of course for design reasons and / or for further increase anti-counterfeiting security with a human feature such as a hologram.
Mit Bezug auf die in Fig. 2 dargestellte detailliertere Aufsicht auf einen Aus- schnitt des Sicherheitselements 12 umfasst das Sicherheitselement 12 eine Schicht 20 aus einem hochleitfähigen/ hochleitenden Material, insbesondere einem Metall, die eine zweidimensionale Gitterstruktur aus einer regelmäßigen Anordnung von Mikroperforationen 22 enthält. Die Schicht 20 ist im gezeigten Ausführungsbeispiel als Flächenschicht im Sinne der weiter oben angeführten Definition ausgebildet. D. h. die Flächenschicht weist im Wesentlichen in der gesamten durch das Sicherheitselement 12 definierten Ebene E eine sehr hohe Leitfähigkeit auf. In Fig. 2 wird die Ebene E durch die beiden Vektoren ei und β2 definiert.With reference to the detailed plan view of a detail of the security element 12 shown in FIG. 2, the security element 12 comprises a layer 20 of a highly conductive / highly conductive material, in particular a metal, which contains a two-dimensional lattice structure consisting of a regular arrangement of microperforations 22. The layer 20 is formed in the embodiment shown as a surface layer in the sense of the above-mentioned definition. Ie. the surface layer has a very high conductivity essentially in the entire plane E defined by the security element 12. In Fig. 2, the plane E is defined by the two vectors ei and β2.
Die Mikroperforationen 22 bilden im gezeigten Ausführungsbeispiel einThe microperforations 22 form in the embodiment shown
Quadratgitter, es kommen jedoch auch alle anderen dem Fachmann bekannten periodischen Anordnungen in Betracht. Wesentlich für die vorliegende Erfindung sind der Durchmesser und der Abstand der Mikroperforationen 22. Zumindest eine der beiden Größen liegt erfindungsgemäß unterhalb der Wellenlänge des für die Echtheitsprüfung verwendeten Licht, so dass die Mikroperforationen eine Subwellenlängenstruktur bildet, die, wie nachfolgend im Detail erläutert, charakteristische Eigenschaften in nullter Beugungsordnung zeigt.Square gratings, however, all other periodic arrangements known to those skilled in the art are also suitable. According to the invention, at least one of the two quantities is below the wavelength of the light used for the authenticity check, so that the microperforations form a sub-wavelength structure which, as explained in detail below, has characteristic properties in zeroth diffraction order shows.
Da die charakteristischen Beugungseigenschaften, anders als bei herkömmlichen diffraktiven optischen Strukturen, bereits in nullter Beugungsordnung auftreten, können die erfindungsgemäßen Sicherheitselemente maschinell ohne großen Aufwand auf Echtheit geprüft werden. Darüber hinaus haben bisher bekannte optische Sicherheitsmerkmale offensichtliche Beugungsei- genschaften und sind daher leichter nachzuahmen als die erfindungsgemäßen Subwellenlängenstrukturen, deren Beugungseigenschaften in nullter Beugungsordnung für potentielle Fälscher nur schwer erkennbar und nachahmbar sind.Since the characteristic diffraction properties, unlike conventional diffractive optical structures, already occur in zeroth order of diffraction, the security elements according to the invention can be mechanically tested without great effort for authenticity. In addition, hitherto known optical security features have obvious diffraction properties and are therefore easier to imitate than the sub-wavelength structures according to the invention, whose diffraction properties are difficult to detect and imitate in zeroth diffraction order for potential counterfeiters.
Die besonderen Beugungseigenschaften der hochleitenden Schichten mit Subwellenlängenstrukturen können bei der maschinellen Echtheitsprüfung durch Transmissionsmessungen, Reflexionsmessungen oder durch eine Messung der Polarisationskonversion nachgewiesen werden, da sie, wie wei- ter unten genauer erläutert, für bestimmte Wellenlängen jeweils eine stark modifizierte Transmission, Reflexion oder eine charakteristische Polarisationskonversion aufweisen.The particular diffraction properties of the highly conductive layers with subwavelength structures can be detected in the mechanical authentication by transmission measurements, reflection measurements or by a measurement of the polarization conversion, since they, as explained in more detail below, for each wavelength a strongly modified transmission, reflection or a characteristic Have polarization conversion.
Ohne an eine bestimmte Erklärung gebunden zu sein, werden die in dieser Anmeldung beschriebenen Effekte gegenwärtig als Resonanzeffekte an der hochleitenden Schicht interpretiert, die bei bestimmten Eigenschaften der Flächenschicht (Geometrie, Anordnung, Materialeigenschaften) für bestimmte Wellenlängen und Beleuchtungswinkel des einfallenden Prüflichts auftre- tem. Physikalisch wird dieser Resonanzeffekt gegenwärtig durch die Anre- gung von Oberflächenpolaritonen in der hochleitenden Schicht erklärt, die auftreten kann, wenn ein Impulsübertrag der einfallenden Photonen auf die Oberflächenpolaritonen gewährleistet ist und eine Komponente des elektrischen Felds der einfallenden Strahlung senkrecht zur Oberfläche der hochleitenden Schicht steht. Die auf diese Weise angeregten kollektiven Schwin- gungen der Elektronen der hochleitenden Schicht werden im Allgemeinen als Oberflächenpolaritonen oder auch als Oberflächenplasmonen bezeichnet.Without wishing to be bound by any particular explanation, the effects described in this application are currently interpreted as resonance effects on the highly conductive layer, which occur for certain properties of the surface layer (geometry, arrangement, material properties) for specific wavelengths and illumination angles of the incident test light. Physically, this resonance effect is currently explained by the excitation of surface polarites in the highly conductive layer, which can occur when momentum transfer of the incident photons to the surface polaritons is ensured and a component of the electric field of the incident radiation is perpendicular to the surface of the highly conductive layer. The excited in this way collective oscillations of the electrons of the highly conductive layer are generally referred to as Oberflächenpolaritonen or as Oberflächenplasmonen.
Die Anregung von Oberflächenpolaritonen durch die einfallende Strahlung hat Auswirkungen auf das reflektierte bzw. transmittierte Licht. Durch die Bildung elektromagnetischer Wellen an der Grenzschicht kommt es zu einer hohen Feldverstärkung an der Oberfläche. Als Folge der Ausbreitung der Oberflächenwellen entstehen erhöhte Ohmsche Verluste in der hochleitenden Schicht. Diese Energie fehlt den sich ausbreitenden Beugungsordnun- gen, so dass eine erfolgte Polaritonenanregung als Senke in der reflektierten oder transmittierten Lichtintensität nachgewiesen werden kann.The excitation of surface polaritons by the incident radiation has effects on the reflected or transmitted light. By the Formation of electromagnetic waves at the boundary layer leads to a high field enhancement at the surface. As a result of the propagation of surface waves, increased ohmic losses occur in the highly conductive layer. This energy lacks the propagating diffraction orders, so that polaritone excitation can be detected as a sink in the reflected or transmitted light intensity.
Weiter führt die Anregung der Oberflächenpolaritonen zu einer Umverteilung der Energien der sich ausbreitenden Beugungsordnungen. Oberflä- chenpolaritonenanregung kann daher an Transmissionsgittern mit einer ein- oder zweidimensionalen Periodizität auch zu einer erhöhten Transmission bei bestimmten Wellenlängen führen. Hohlraumresonanzen in den Zwischenräumen hochleitender Gitterstrukturen können ebenfalls Resonanzerscheinungen in den reflektierten bzw. transmittierten Beugungsordnungen nach sich ziehen. Die Lage dieser Resonanzwellenlängen ist ebenfalls charakteristisch für die Geometrie der Gitterstruktur, insbesondere der Dicke sowie ihrer optischen Konstanten.Furthermore, the excitation of the surface polarites leads to a redistribution of the energies of the propagating diffraction orders. Surface polarization excitation may therefore also result in increased transmission at certain wavelengths on transmission grids having a one- or two-dimensional periodicity. Cavity resonances in the interstices of highly conductive grating structures can also cause resonance phenomena in the reflected or transmitted diffraction orders. The location of these resonance wavelengths is also characteristic of the geometry of the lattice structure, in particular the thickness and their optical constants.
Das prinzipielle Verhalten erfindungsgemäßer Sicherheitselemente mit Sub- Wellenlängenstrukturen ist anhand der schematischen Transmissionskurven 30, 32 der Fig. 3 erläutert, die die Intensität I des durch ein erfindungsgemäßes Sicherheitselement transmittierten Lichts für senkrechten Lichteinfall θ = 0° (Fig. 3(a)), und für einen Einfallswinkel θ = θo, beispielsweise θ = 0,5° (Fig. 3(b)) in Abhängigkeit von der Wellenlänge λ zeigen.The basic behavior of security elements according to the invention with sub-wavelength structures is explained with reference to the schematic transmission curves 30, 32 of FIG. 3, which show the intensity I of the light transmitted by a security element according to the invention for vertical incidence of light θ = 0 ° (FIG. 3 (a)), and for an incident angle, θ = θ o, for example, θ = 0.5 ° (Fig. 3 (b)) depending on the wavelength λ.
Wie in Fig. 3 deutlich zu erkennen, weist die Transmission 32 durch das Sicherheitselement bei dem leicht schrägen Einfallswinkel θo bei einer Resonanzwellenlänge λ2 eine charakteristische Senke 34 auf, während bei senkrechtem Einfallswinkel keine signifikant verminderte Transmission bei der Wellenlänge λ2 zu beobachten ist. Im Rahmen der oben gegebenen Erläuterung kann die Senke 34 bei schrägem Lichteinfall durch die dann mögliche Anregung von Oberflächenpolaritonen erklärt werden, während die Photonen bei senkrechtem Lichteinfall keine Komponente senkrecht zur Oberflä- che der Flächenschicht 20 aufweisen und daher keinen Impuls auf dieAs can be clearly seen in FIG. 3, the transmission 32 has a characteristic depression 34 through the security element at the slightly oblique angle of incidence θo at a resonance wavelength λ 2 , while at a normal angle of incidence no significantly reduced transmission in the case of FIG Wavelength λ2 is observed. In the context of the explanation given above, the depression 34 can be explained at oblique light incidence by the then possible excitation of surface polaritons, while the photons do not have a component perpendicular to the surface of the surface layer 20 under normal incidence of light and therefore have no impulse on the surface
Oberflächenpolaritonen übertragen können. Versuche zeigen, dass die Lage der Resonanzwellenlänge X2 nicht nur von der Gitterperiode der Gitterelemente, sondern auch stark von der Oberflächengeometrie und den Materialeigenschaften der Schicht 20 abhängt, so dass es für einen potentiellen Fäl- scher außerordentlich schwierig ist, die charakteristischen Beugungseigenschaften eines vorgegebenen Sicherheitselements nachzubilden.Surface polarity transmitted. Experiments show that the position of the resonance wavelength X 2 depends not only on the grating period of the grating elements, but also strongly on the surface geometry and the material properties of the layer 20, so that it is extremely difficult for a potential forger, the characteristic diffraction properties of a given To replicate security elements.
Die maschinelle optische Echtheitsprüfung eines derartigen Sicherheitselements kann, wie in Fig. 4(a) illustriert, beispielsweise dadurch erfolgen, dass zunächst ein Beleuchtungswinkel und zwei Prüf weilenlängen festgelegt werden, beispielsweise der leicht schräge Einfallswinkel θ0 und die mit X1 und λ2 bezeichneten Wellenlängen der Fig. 3. Dann wird die hochleitende Schicht des Sicherheitselements 40 mit einer Lichtquelle 42 aus dem festgelegten Beleuchtungswinkel θo nacheinander oder gleichzeitig mit Licht der beiden Prüfwellenlängen A1 und X2 beaufschlagt und die Transmission der nullten Beugungsordnung wird mit einem wellenlängenempfindlichen Detektor 44 erfasst. Durch einen Vergleich der bei den Prüfwellenlängen Xi und X2 transmittierten Lichtintensitäten Ii bzw. I2 kann dann die Echtheit des Sicherheitselements 40 beurteilt werden. Wie aus Fig. 3 ersichtlich, zeigt ein erfindungsgemäßes Sicherheitselement bei der Wellenlänge X2 verglichen mit der Wellenlänge X1 eine deutlich verringerte Transmission, während ein nachgeahmtes Sicherheitselement diese charakteristische Reduktion der Transmission nicht aufweisen wird. Somit kann bei einem Verhältnis I2/I1 < Ithres mit einem geeigneten Schwellenwert Wes auf die Echtheit des Sicher- heitselement geschlossen werden, während I2/I1 ≥ Ithres auf ein nachgeahmtes Sicherheitselement hinweist.The mechanical optical authenticity check of such a security element can, as illustrated in FIG. 4 (a), be effected, for example, by first determining an illumination angle and two test lengths, for example the slightly oblique angle of incidence θ 0 and those denoted by X 1 and λ 2 Wavelengths of Fig. 3. Then, the high-conductivity layer of the security element 40 with a light source 42 from the fixed illumination angle θo successively or simultaneously applied to light the two test wavelengths A 1 and X 2 and the transmission of zeroth diffraction order is detected by a wavelength-sensitive detector 44 , The authenticity of the security element can then be assessed by comparing the 40 transmitted in the test wavelengths Xi and X 2 light intensities Ii and I, respectively. 2 As can be seen from FIG. 3, a security element according to the invention exhibits a significantly reduced transmission at the wavelength X 2 compared to the wavelength X 1 , whereas an imitated security element will not exhibit this characteristic reduction of the transmission. Thus, for a ratio I2 / I1 <Ithres with a suitable threshold Wes, the authenticity of the While I2 / I1 ≥ Ithres indicates an imitated security element.
Eine weitere Möglichkeit der Echtheitsprüfung ist in Fig. 4(b) illustriert. An- statt einen Beleuchtungswinkel und zwei verschiedene Prüfwellenlängen festzulegen, kann die Echtheitsprüfung auch bei einer festen Wellenlänge, beispielsweise bei der in Fig. 3 mit λ2 bezeichneten Wellenlänge, und zwei vorgegebenen Beleuchtungswinkeln θi und Θ2, beispielsweise θi = 0° (senkrechter Einfall) und Θ2 = θo (siehe Fig. 3), durchgeführt werden. Die bei den jeweiligen Einfallswinkeln durch das Sicherheitselement 40 transmittierte nullte Beugungsordnung wird durch einen ortsauflösenden Detektor 46, beispielsweise ein Diodenarray, erfasst.Another way of checking the authenticity is illustrated in Fig. 4 (b). Instead of defining an illumination angle and two different test wavelengths, the authenticity check can also be carried out at a fixed wavelength, for example at the wavelength designated by λ 2 in FIG. 3, and two predetermined illumination angles θi and θ2, for example θi = 0 ° (vertical incidence). and Θ2 = θo (see Fig. 3). The zeroth diffraction order transmitted by the security element 40 at the respective angles of incidence is detected by a spatially resolving detector 46, for example a diode array.
Wie aus Fig. 3 ersichtlich, zeigt ein erfindungsgemäßes Sicherheitselement bei der Wellenlänge Ä2 bei dem Einfallswinkel Θ2 verglichen mit dem Einfallswinkel θi eine deutlich verringerte Transmission, während ein nachgeahmtes Sicherheitselement diese charakteristische Reduktion der Transmission nicht aufweisen wird. Somit kann bei einem Verhältnis I2/I1 < Ithres mit einem geeigneten Schwellenwert Ithres auf die Echtheit des Sicherheitselement geschlossen werden, während I2/I1 ≥ Ithres auf ein nachgeahmtes Sicherheitselement hinweist. Die Beleuchtung kann bei dieser Variante durch zwei separate Beleuchtungsquellen 42 erfolgen, oder auch eine flächig ausgedehnte Beleuchtungsquelle, wie etwa ein LED-Array.As can be seen from FIG. 3, a security element according to the invention exhibits a markedly reduced transmission at the wavelength λ2 at the angle of incidence Θ2 compared with the angle of incidence θi, while an imitated security element will not exhibit this characteristic reduction of the transmission. Thus, for a ratio I2 / I1 <Ithres with an appropriate threshold Ithres can be inferred on the authenticity of the security element, while I2 / I1 ≥ Ithres an imitated security element. The illumination can be done in this variant by two separate illumination sources 42, or even a flat extended illumination source, such as an LED array.
Es versteht sich, dass in beiden Prüfungsvarianten anstelle der transmittier- ten nullten Beugungsordnung auch die reflektierte nullte Beugungsordnung für die Echtheitsprüfung herangezogen werden kann. Zurückkommend auf die Subwellenlängenstruktur der Fig. 2 ist die Flächenschicht 20 vorzugsweise durch eine Metallschicht aus Gold, Silber, Kupfer, Aluminium oder Chrom mit einer Dicke t zwischen 50 ran und 2 μm, im Ausführungsbeispiel durch eine Silberschicht einer Dicke von 200 nm, gebil- det. Die Mikroperforationen 22 weisen einen Durchmesser d zwischen etwa 50 nm und 1 μm, im Ausführungsbeispiel von 200 nm, auf. Der Abstand ao benachbarter Perforationen liegt vorzugsweise zwischen 400 nm und 2 μm, im Ausführungsbeispiel bei 900 nm. Für die Schärfe der Bereiche mit außergewöhnlicher Reflexion oder Transmission hat es sich als vorteilhaft heraus- gestellt, wenn das Verhältnis der Schichtdicke t zum Durchmesser d der Perforationen t/d zwischen 0,5 und 2, insbesondere bei etwa 1 liegt, wobei Werte außerhalb dieses Bereichs selbstverständlich nicht ausgeschlossen sind.It is understood that in both test variants, instead of the transmitted zeroth diffraction order, the reflected zeroth diffraction order can also be used for the authenticity check. Returning to the sub-wavelength structure of FIG. 2, the surface layer 20 is preferably formed by a metal layer of gold, silver, copper, aluminum or chromium having a thickness t between 50 nm and 2 μm, in the exemplary embodiment by a silver layer having a thickness of 200 nm. det. The microperforations 22 have a diameter d between about 50 nm and 1 .mu.m, in the embodiment of 200 nm on. The distance ao adjacent perforations is preferably between 400 nm and 2 microns, in the embodiment at 900 nm. For the sharpness of the areas with exceptional reflection or transmission, it has been found advantageous if the ratio of the layer thickness t to the diameter d of the perforations t / d is between 0.5 and 2, in particular about 1, although values outside this range are of course not excluded.
Neben den bisher beschriebenen Gestaltungen mit zweidimensionaler Git- tersymmetrie kommen auch Sicherheitselemente mit eindimensionalen periodischen Gitterstrukturen infrage. So zeigt das Ausführungsbeispiel der Fig. 5 ein Sicherheitselement 50, bei dem auf eine Trägerfolie 52 eine Vielzahl paralleler, metallischer Gitterlinien 54 aufgebracht ist. Während bei der in Fig. 2 gezeigten Gestaltung die Gitterelemente durch die Mikroperforationen 22, also durch nichtleitende Bereiche in einer ansonsten hochleitenden Schicht gebildet sind, sind die Gitterelemente bei der Gestaltung der Fig. 5 umgekehrt durch hochleitende Gitterlinien 54 gebildet, zwischen denen, also in den Zwischenräumen, nichtleitende Bereiche vorliegen. Bei der Ausführungsform der Fig. 5 wird die hochleitfähige Schicht demnach durch die hochleitenden Gitterlinien 54 gebildet. Die mittels der Vektoren e;i und e2 festgelegte Ebene E dieses Sicherheitselements umfasst eine hochleitfähige Schicht, die im Wesentlichen nur in Richtung des Vektors e2 eine sehr hohe Leitfähigkeit im Sinne der Erfindung aufweist. Die sehr hohe Leitfähigkeit in Richtung β2 korrespondiert bei der in Fig. 2 gezeigten Ausführungsform demnach mit der Vielzahl an Gitterlinien 54, die in Richtung des Vektors e2 orientiert sind und die die hochleitfähige Schicht bilden.In addition to the previously described designs with two-dimensional lattice symmetry, security elements with one-dimensional periodic lattice structures are also suitable. Thus, the embodiment of FIG. 5 shows a security element 50, in which a plurality of parallel, metallic grid lines 54 is applied to a carrier foil 52. While in the design shown in Fig. 2, the grid elements are formed by the micro-perforations 22, ie by non-conductive regions in an otherwise highly conductive layer, the grid elements in the design of Fig. 5 are formed inversely by highly conductive grid lines 54, between which, ie in the intermediate spaces, non-conductive areas exist. In the embodiment of FIG. 5, the highly conductive layer is thus formed by the highly conductive grid lines 54. The plane E of this security element defined by the vectors e; i and e 2 comprises a highly conductive layer which has a very high conductivity in the sense of the invention essentially only in the direction of the vector e2. The very high conductivity in Accordingly, in the embodiment shown in FIG. 2, direction β2 corresponds to the multiplicity of grating lines 54, which are oriented in the direction of the vector e2 and which form the highly conductive layer.
Die Breite b der Gitterlinien 54 und/ oder die Gitterperiode ao liegen erfindungsgemäß unterhalb der Wellenlänge des für die Echtheitsprüfung eingesetzten Lichts 56. Wird die Gitterstruktur der Fig. 5 unter einem Einfallswinkel θo mit p-polarisiertem Licht 56 beaufschlagt, dessen elektrischer Feldvektor 58 senkrecht auf den Gitterlinien 54 steht, so können nach der weiter oben gegebenen Erläuterung bei optischen Wellenlängen λ, die größer alsAccording to the invention, the width b of the grating lines 54 and / or the grating period ao are below the wavelength of the light 56 used for the authenticity check. If the grating structure of FIG. 5 is exposed to p-polarized light 56 at an angle of incidence θo, its electric field vector 58 is perpendicular is the grating lines 54, then, according to the explanation given above at optical wavelengths λ, which are greater than
X0 = ao*(l + I sin θo I )X 0 = ao * (I + I sin θo I)
sind, nur die nullte reflektierte bzw. transmittierte Beugungsordnung pro- pagieren. Die ersten evaneszenten Ordnungen regen in der Gitterstruktur Oberflächenpolaritonen an, wenn die Bedingung are only the zeroth reflected or transmitted diffraction order propagate. The first evanescent orders excite surface polarites in the lattice structure when the condition
erfüllt ist, wobei ksp den reellen Teil des Wellenvektors des Oberflächenpola- ritons, ko den Wellenvektors des einfallenden Lichts im Vakuum und G = 2π/ao einen reziproken Gittervektor bezeichnet.is satisfied, where ksp denotes the real part of the wave vector of the surface polarity, ko the wave vector of the incident light in vacuum and G = 2π / ao a reciprocal lattice vector.
Eindimensionale Gitterstrukturen können innerhalb einer Periode auch eine Unterstruktur aufweisen, wie anhand von Fig. 6 veranschaulicht. Fig. 6(a) zeigt zunächst eine einfache Gitterstruktur 60 mit einem Schlitz 62 der Breite d innerhalb der Periodenlänge ao. Die Breite b der Gitterlinien 64 ist in diesem Fall durch b = ao - d gegeben. Die Figuren 6(b) und (c) zeigen Gestaltungen mit drei bzw. fünf Schlitzen 62 gleicher Breite d innerhalb einer Perio- denlänge, also mit einer Unterstruktur innerhalb einer Periodenlänge, wobei selbstverständlich auch eine andere Anzahl an Schlitzen bzw. unterschiedliche Schlitzbreiten in Betracht kommen.One-dimensional grid structures may also have a substructure within a period, as illustrated by FIG. 6. Fig. 6 (a) first shows a simple grating structure 60 having a slot 62 of width d within the period length ao. The width b of the grid lines 64 is given by b = ao-d in this case. FIGS. 6 (b) and (c) show configurations with three or five slots 62 of the same width d within one period. denlänge, so with a sub-structure within a period length, which of course also a different number of slots or different slot widths come into consideration.
Die Schlitzbreiten d sind dabei so gewählt, dass sie kleiner als die Wellenlänge des für die Echtheitsprüfung eingesetzten Lichts sind. Je nach den Materialparametern, der Breite und Anzahl der Schlitze, können Sicherheitselemente mit derartigen Gitterstrukturen eine erhöhte Transmission bei bestimmten Resonanzwellenlängen oder auch schmale Senken innerhalb von Bereichen resonant überhöhter Transmission aufweisen. Diese charakteristisch erhöhte bzw. reduzierte Transmission kann dann, wie bereits in Zusammenhang mit Fig. 4 erläutert, zur Echtheitsprüfung der Sicherheitselemente eingesetzt werden.The slot widths d are selected so that they are smaller than the wavelength of the light used for the authenticity check. Depending on the material parameters, the width and the number of slots, security elements with such grating structures can have an increased transmission at certain resonant wavelengths or even narrow valleys within areas of resonantly excessive transmission. This characteristic increased or reduced transmission can then, as already explained in connection with FIG. 4, be used for checking the authenticity of the security elements.
Gitterstrukturen mit eindimensionaler Periodizität eröffnen daneben eine weitere Möglichkeit zur Echtheitsprüfung erfindungsgemäßer Sicherheitselemente. Die Anregung von Oberflächenpolaritonen in Gittern mit eindimensionaler Periodizität bewirkt nämlich nach gegenwärtigem Kenntnisstand bei geeigneten Einfallsbedingungen eine Drehung der Polarisations- ebene des gebeugten Lichts gegenüber dem Polarisationsvektor des einfallenden Lichts. Diese Polarisationskonversion kann beispielsweise durch Prüfvorrichtungen, wie in Fig. 7 schematisch gezeigt, nachgewiesen werden.Lattice structures with one-dimensional periodicity additionally open up a further possibility for checking the authenticity of security elements according to the invention. The excitation of surface polarites in lattices with one-dimensional periodicity causes, according to the current state of knowledge under suitable incident conditions, a rotation of the polarization plane of the diffracted light relative to the polarization vector of the incident light. This polarization conversion can be detected, for example, by test devices as shown schematically in FIG.
Bei der auf eine Messung der Polarisationskonversion in Reflexion ausgeleg- ten Prüfvorrichtung der Fig. 7(a) wird das einfallende Licht 72 vor der Beaufschlagung des zu prüfenden Sicherheitselements 70 durch einen ersten Polarisator 74 p-polarisiert. Das von dem Sicherheitselement 70 reflektierte Licht 76 gelangt über einen in Sperrrichtung zum ersten Polarisator orientier- ten zweiten Polarisator 78 zu einem Detektor 75, der die Intensität des durch den zweiten Polarisator 78 transmittierten s-polarisierten Lichts erfasst.In the test device of FIG. 7 (a) designed for measuring the polarization conversion in reflection, the incident light 72 is p-polarized by a first polarizer 74 before the security element 70 to be tested is acted upon. The light 76, which is reflected by the security element 70, arrives at the first polarizer in the reverse direction. second polarizer 78 to a detector 75, which detects the intensity of the transmitted through the second polarizer 78 s-polarized light.
Enthält das zu prüfende Sicherheitselement 70 eine erfindungsgemäße Sub- Wellenlängenstruktur mit eindimensionaler Periodizität, so ergibt sich aufgrund der beschriebenen Polarisationskonversion ein erhöhtes Detektorsignal, wobei die maximale Signalstärke erreicht wird, wenn der Gittervektor der Gitterstruktur im 45° Winkel zur Einfallsebene 72, 76 des Lichts verläuft. Bei einem gegenüber einem Schwellwert erhöhten Intensitätssignal kann daher auf Anregung von Oberflächenpolaritonen und damit auf Echtheit des geprüften Sicherheitselements geschlossen werden.If the security element 70 to be tested contains a sub-wavelength structure according to the invention having a one-dimensional periodicity, the result is an increased detector signal due to the polarization conversion described, the maximum signal strength being achieved if the grating vector of the grating structure is at 45 ° to the plane of incidence 72, 76 of the light , In the case of an intensity signal which is increased in relation to a threshold value, it is therefore possible to conclude that surface polarites are excited and thus the authenticity of the tested security element.
Statt in Reflexion kann die Polarisationskonversion auch in Transmission geprüft werden, wie in Fig. 7(b) gezeigt. Das einfallende Licht 82 läuft dabei durch einen ersten Polarisator 84 und das zu prüfende Sicherheitselement 80. Das transmittierte Licht 86 gelangt über einen zweiten in Sperrrichtung zum ersten Polarisator orientierten Polarisator 88 zum Detektor 85. Auch hier, kann aus einem erhöhten Detektorsignal bei entsprechender Stellung des Sicherheitselements 80 auf die Anregung von Oberflächenpolaritonen und damit auf die Echtheit des zu prüfenden Sicherheitselements 80 geschlossen werden. Instead of in reflection, the polarization conversion can also be checked in transmission, as shown in Fig. 7 (b). In this case, the incident light 82 passes through a first polarizer 84 and the security element 80 to be tested. The transmitted light 86 arrives at the detector 85 via a second polarizer 88 oriented in the reverse direction relative to the first polarizer. Here, as well, an increased detector signal can be used for the corresponding position of the Security element 80 on the excitation of Oberflächenpolaritonen and thus on the authenticity of the security element to be tested 80 closed.

Claims

P a t e n t a n s p r ü c h e Patent claims
1. Sicherheitselement für die maschinelle optische Echtheitsprüfung mit Licht, das eine vorgegebene Prüfwellenlänge enthält, dadurch gekennzeich- net, dass das Sicherheitselement eine Schicht aus einem hochleitfähigen Material aufweist, die eine ein- oder zweidimensionale Gitterstruktur aus einer periodischen Anordnung einer Vielzahl von Gitterelementen enthält, deren laterale Abmessungen und/ oder laterale Abstände kleiner als die Prüfwellenlänge sind.1. A security element for mechanical optical authentication with light containing a predetermined test wavelength, characterized in that the security element comprises a layer of a highly conductive material containing a one- or two-dimensional lattice structure of a periodic arrangement of a plurality of lattice elements, whose lateral dimensions and / or lateral distances are smaller than the test wavelength.
2. Sicherheitselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die lateralen Abmessungen und/ oder die lateralen Abstände um mindestens einen Faktor 1,5, vorzugsweise um mindestens einen Faktor 2, kleiner sind als die Prüf Wellenlänge.2. Security element according to claim 1, characterized in that the lateral dimensions and / or the lateral distances by at least a factor of 1.5, preferably by at least a factor of 2, are smaller than the test wavelength.
3. Sicherheitselement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Sicherheitselement auf eine maschinelle optische Echtheitsprüfung mit Licht aus dem sichtbaren Spektralbereich ausgelegt ist.3. Security element according to claim 1 or 2, characterized in that the security element is designed for a mechanical optical authenticity check with light from the visible spectral range.
4. Sicherheitselement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Sicherheitselement auf eine maschinelle optische Echtheitsprüfung mit Licht aus dem Spektralbereich des Nahen Infrarot ausgelegt ist.4. Security element according to claim 1 or 2, characterized in that the security element is designed for a mechanical optical authenticity check with light from the spectral range of the near infrared.
5. Sicherheitselement nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 4, da- durch gekennzeichnet, dass die hochleitfähige Schicht mit der Gitterstruktur so ausgelegt ist, dass das bei der Echtheitsprüfung unter einem vorgegebenen Prüf winkel einfallende Licht Oberflächenpolaritonen und/ oder Hohlraumresonanzen in der hochleitfähigen Schicht anregt. 5. The security element according to claim 1, characterized in that the highly conductive layer with the lattice structure is designed so that the light incident on the authenticity test under a predetermined test angle excites surface polarities and / or cavity resonances in the highly conductive layer ,
6. Sicherheitselement nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Gitterstruktur als Reflexionsgitter ausgebildet ist.6. Security element according to at least one of claims 1 to 5, characterized in that the grid structure is formed as a reflection grating.
7. Sicherheitselement nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Gitterstruktur als Transmissionsgitter ausgebildet ist.7. Security element according to at least one of claims 1 to 5, characterized in that the grid structure is formed as a transmission grating.
8. Sicherheitselement nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 7, da- durch gekennzeichnet, dass die Gitterelemente durch parallele, hochleitfä- hige Gitterlinien gebildet sind, um eine eindimensionale periodische Gitterstruktur zu bilden.8. The security element according to at least one of claims 1 to 7, characterized in that the grid elements are formed by parallel, highly conductive grid lines to form a one-dimensional periodic lattice structure.
9. Sicherheitselement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Periodenlänge kleiner als die Prüfwellenlänge, vorzugsweise mindestens um einen Faktor 2 kleiner als die Prüfwellenlänge ist.9. Security element according to claim 8, characterized in that the period length is smaller than the test wavelength, preferably at least by a factor of 2 smaller than the test wavelength.
10. Sicherheitselement nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Gitterstruktur innerhalb einer Periode eine Unterstruktur aufweist.10. Security element according to claim 8 or 9, characterized in that the grid structure has a substructure within a period.
11. Sicherheitselement nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die hochleitfähige Schicht eine im Wesentlichen durchgehend hochleitfähige Flächenschicht ist und dass die Gitterelemente durch regelmäßig angeordnete Perforationen in der Flächenschicht gebildet sind, um eine zweidimensionale periodische Gitterstruktur zu bilden.11. The security element according to claim 1, characterized in that the highly conductive layer is a substantially highly conductive surface layer and that the grid elements are formed by regularly arranged perforations in the surface layer in order to form a two-dimensional periodic lattice structure.
12. Sicherheitselement nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Durchmesser der Perforationen kleiner als die Prüfwellenlänge, bevorzugt mindestens um einen Faktor 2 kleiner als die Prüfwellenlänge, beson- ders bevorzugt mindestens um einen Faktor 4 kleiner als die Prüfwellenlänge ist.12. The security element according to claim 11, characterized in that the diameter of the perforations is smaller than the test wavelength, preferably at least a factor of 2 smaller than the test wavelength, in particular ders preferred is at least a factor of 4 smaller than the test wavelength.
13. Sicherheitselement nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeich- net, dass der laterale Abstand der Perforationen kleiner als die Prüfwellenlänge ist.13. A security element according to claim 11 or 12, marked thereby, that the lateral distance of the perforations is smaller than the test wavelength.
14. Sicherheitselement nach wenigstens einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Verhältnis der Dicke der Flächenschicht zu dem Durchmesser der Perforationen kleiner als 2 ist, vorzugsweise zwischen 0,5 und 1,5, insbesondere bei etwa 1,0 liegt.14. The security element according to at least one of claims 11 to 13, characterized in that the ratio of the thickness of the surface layer to the diameter of the perforations is less than 2, preferably between 0.5 and 1.5, in particular about 1.0.
15. Sicherheitselement nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Schicht aus einem hochleitfähi- gen Material zwischen 50 nm und 2 μm, vorzugsweise zwischen 100 nm und 1 μm liegt.15. A security element according to at least one of claims 1 to 14, characterized in that the thickness of the layer of a highly conductive material is between 50 nm and 2 μm, preferably between 100 nm and 1 μm.
16. Sicherheitselement nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass das hochleitfähige Material der Schicht ein Metall ist, insbesondere eines der Metalle Gold, Silber, Kupfer, Aluminium oder Chrom.16. The security element according to at least one of claims 1 to 15, characterized in that the highly conductive material of the layer is a metal, in particular one of the metals gold, silver, copper, aluminum or chromium.
17. Sicherheitselement nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Gitterstruktur in ein Dielektrikum einge- bettet ist.17. Security element according to at least one of claims 1 to 16, characterized in that the lattice structure is embedded in a dielectric.
18. Sicherheitselement nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Sicherheitselement mit einem visuell prüfbaren Humanmerkmal kombiniert ist. 18. Security element according to at least one of claims 1 to 17, characterized in that the security element is combined with a visually verifiable human feature.
19. Sicherheitselement nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass das Sicherheitselement ein Sicherheitsfaden, ein Etikett, ein Transferelement oder ein Durchsichtssicherheitselement ist.19. A security element according to at least one of claims 1 to 18, characterized in that the security element is a security thread, a label, a transfer element or a see-through security element.
20. Verfahren zur Herstellung eines Sicherheitselements nach einem der Ansprüche 1 bis 19, bei dem eine Schicht aus einem hochleitfähigen Material mit einer ein- oder zweidimensionalen Gitterstruktur aus einer periodischen Anordnung einer Vielzahl von Gitterelementen versehen wird, deren laterale Abmessungen und/ oder laterale Abstände kleiner als die Prüf Wellenlänge sind.20. A method for producing a security element according to one of claims 1 to 19, wherein a layer of a highly conductive material is provided with a one- or two-dimensional grid structure of a periodic arrangement of a plurality of grid elements whose lateral dimensions and / or lateral distances smaller as the test wavelength are.
21. Datenträger, insbesondere Markenartikel oder Wertdokument, wie Banknote, Pass, Urkunde, Banderole, Ausweiskarte oder dergleichen, mit einem Sicherheitselement nach einem der Ansprüche 1 bis 19.21. Data carrier, in particular branded article or valuable document, such as banknote, passport, document, banderole, identity card or the like, with a security element according to one of claims 1 to 19.
22. Datenträger nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass, das Sicherheitselement in einem Fensterbereich des Datenträgers angeordnet ist.22. A data carrier according to claim 21, characterized in that, the security element is arranged in a window region of the data carrier.
23. Verwendung eines Sicherheitselements nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 19 oder eines Datenträgers nach Anspruch 21 oder 22 zur23. Use of a security element according to at least one of claims 1 to 19 or a data carrier according to claim 21 or 22 for
Fälschungssicherung von Waren beliebiger Art.Counterfeiting of goods of any kind.
24. Verfahren zur maschinellen optischen Echtheitsprüfung eines Sicherheitselements nach einem Ansprüche 1 bis 19, bei dem24. A method for mechanical optical authentication of a security element according to one of claims 1 to 19, wherein
a) zumindest eine Prüfwellenlänge und zumindest eine Beleuchtungsgeometrie für die Echtheitsprüfung festgelegt wird, b) die hochleitfähige Schicht des Sicher heitselements mit Licht der zumindest einen festgelegten Prüfwellenlänge unter der zumindest einen festlegten Beleuchtungsgeometrie beaufschlagt wird,a) at least one test wavelength and at least one illumination geometry for the authenticity test is determined, b) the highly conductive layer of the safety element is exposed to light of the at least one defined test wavelength under the at least one defined illumination geometry,
c) das von der hochleitf ähigen Schicht reflektierte oder transmittierte Licht bei zumindest einer festgelegten Prüfwellenlänge erfasst wird, undc) the light reflected or transmitted by the highly conductive layer is detected at at least one predetermined test wavelength, and
d) die Echtheit des Sicherheitselements auf Grundlage der Intensität und/ oder der Polarisation des erf assten Lichts beurteilt wird.d) the authenticity of the security element is assessed on the basis of the intensity and / or the polarization of the detected light.
25. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt c) das in der nullten Beugungsordnung reflektierte Licht erfasst wird.25. The method according to claim 24, characterized in that in step c) the reflected light in the zeroth diffraction order is detected.
26. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt c) das in der nullten Beugungsordnung transmittierte Licht erfasst wird.26. The method according to claim 24, characterized in that in step c) the light transmitted in the zeroth diffraction order is detected light.
27. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 24 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt a) zumindest zwei verschiedene Prüfwellenlängen festgelegt werden, in Schritt c) die Lichtintensitäten bei den zumindest zwei festgelegten Prüfwellenlängen erfasst und in Schritt d) miteinander verglichen werden, wobei bei einer über ein festgelegtes Maß hinaus verringerten Lichtintensität bei zumindest einer der Prüfwellenlängen auf die Echtheit des Sicherheitselements geschlossen wird.27. The method according to at least one of claims 24 to 26, characterized in that in step a) at least two different test wavelengths are determined in step c) the light intensities detected at the at least two predetermined test wavelengths and compared in step d), wherein in the case of a light intensity which is reduced beyond a defined extent, the authenticity of the security element is concluded at at least one of the test wavelengths.
28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass die Flächenschicht in Schritt b) gleichzeitig mit Licht der zumindest zwei verschiedene Prüfwellenlängen beaufschlagt wird. 28. The method according to claim 27, characterized in that the surface layer is acted upon in step b) simultaneously with light of at least two different test wavelengths.
29. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht aus einem hochleitf ähigen Material in Schritt b) nacheinander mit Licht der zumindest zwei verschiedenen Prüfwellenlängen beaufschlagt wird.29. The method according to claim 27, characterized in that the layer of a hochleitf ähigen material in step b) is successively acted upon by light of the at least two different test wavelengths.
30. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 24 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass in Schritt a) zumindest zwei unterschiedliche Beleuchtungswinkel festgelegt werden, in Schritt c) die Lichtintensitäten bei Beaufschlagung aus den zumindest zwei festgelegten Beleuchtungswinkeln erfasst und in Schritt d) miteinander verglichen werden, wobei bei einer über ein festgelegtes Maß hinaus verringerten Lichtintensität bei zumindest einem der Beleuchtungswinkel auf die Echtheit des Sicherheitselements geschlossen wird.30. Method according to claim 24, characterized in that in step a) at least two different illumination angles are defined, in step c) the light intensities are detected upon application of the at least two fixed illumination angles and compared with each other in step d) In the case of a light intensity which is reduced beyond a defined extent, the authenticity of the security element is concluded at at least one of the illumination angles.
31. Verfahren nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtintensitäten in Schritt c) mit einem ortsauflösenden Detektor erfasst werden.31. The method according to claim 30, characterized in that the light intensities are detected in step c) with a spatially resolving detector.
32. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 24 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht aus einem hochleitfähigen Material in32. The method according to at least one of claims 24 to 26, characterized in that the layer of a highly conductive material in
Schritt b) mit polarisiertem Licht der zumindest einen festgelegten Prüfwellenlänge beaufschlagt wird, und in Schritt c) die Polarisationsrichtung des reflektierten oder transmittierten Lichts der zumindest einen festgelegten Prüfwellenlänge erfasst wird, wobei in Schritt d) aus einer Änderung der Polarisationsrichtung bei zumindest einer festgelegten Prüfwellenlänge über ein festgelegtes Maß hinaus auf die Echtheit des Sicherheitselements geschlossen wird. Step b) is applied with polarized light of the at least one predetermined test wavelength, and in step c) the polarization direction of the reflected or transmitted light of the at least one predetermined test wavelength is detected, wherein in step d) from a change in the polarization direction at least a predetermined test wavelength a fixed amount is added to the authenticity of the security element.
33. Vorrichtung zur maschinellen optischen Echtheitsprüfung eines Sicherheitselements nach einem Ansprüche 1 bis 19, mit33. A device for automated optical authenticity testing of a security element according to one of claims 1 to 19, with
zumindest einer Lichtquelle zum Beaufschlagen der hochleitfähigen Schicht des zu prüfenden Sicherheitselements mit Licht zumindest einer festgelegten Prüfwellenlänge unter zumindest einer festgelegten Beleuchtungsgeometrie,at least one light source for subjecting the highly conductive layer of the security element to be tested to light of at least one specified test wavelength under at least one specified illumination geometry,
zumindest einer Detektionseinrichtung zum Erfassen des von der hochleitfähigen Schicht reflektierten oder transmittierten Lichts, undat least one detection device for detecting the light reflected or transmitted by the highly conductive layer, and
Mittel zum Bewerten der Intensität und/ oder der Polarisation des erfassten Lichts bei der zumindest einen festgelegten Prüfwellenlänge und/ oder bei der zumindest einen festgelegten Beleuchtungsgeomet- rie, und zum Beurteilen der Echtheit des zu prüfenden Sicherheitselements auf Grundlage der vorgenommenen Bewertung.Means for assessing the intensity and / or polarization of the detected light at the at least one specified test wavelength and / or at least one predetermined illumination geometry, and for assessing the authenticity of the security element to be tested based on the evaluation made.
34. Vorrichtung nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtquelle zum Beaufschlagen der hochleitfähigen Schicht des Sicherheits- elements mit zumindest zwei verschiedenen Prüfwellenlängen ausgelegt ist, und eine wellenlängenempfindliche Detektionseinrichtung vorgesehen ist.34. Apparatus according to claim 33, characterized in that the light source for applying the highly conductive layer of the security element is designed with at least two different test wavelengths, and a wavelength-sensitive detection device is provided.
35. Vorrichtung nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtquelle zum Beaufschlagen der hochleitfähigen Schicht des Sicherheits- elements mit Licht aus zumindest zwei unterschiedlichen Beleuchtungswinkeln ausgelegt ist, und eine ortsauflösende Detektionseinrichtung, wie etwa ein Diodenarray, vorgesehen ist. 35. Apparatus according to claim 33, characterized in that the light source for applying the highly conductive layer of the security element is designed with light from at least two different illumination angles, and a spatially resolving detection device, such as a diode array, is provided.
36. Vorrichtung nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, dass im Strahlengang zwischen Lichtquelle und zu prüfendem Sicherheitselement ein erster Polarisator und im Strahlengang zwischen zu prüfendem Sicherheitselement und Detektionseinrichtung ein in Sperrrichtung zum ersten Polarisator orientierter zweiter Polarisator vorgesehen ist. 36. The apparatus of claim 33, characterized in that in the beam path between the light source and the security element to be tested, a first polarizer and in the beam path between the security element to be tested and detection means is provided in the reverse direction to the first polarizer oriented second polarizer.
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